美光：內(nèi)存工藝短時(shí)間不需要用EUV光刻工藝

 今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV工藝?在美光看來(lái)，EUV光刻工藝并不是DRAM芯片必須的，未來(lái)幾年內(nèi)都用不上，在新一代工藝上他們正在交由客戶驗(yàn)證1Y nm內(nèi)存芯片，未來(lái)還有1Z、1α及1β工藝。

內(nèi)存跟CPU等芯片雖然都是集成電路，生產(chǎn)制造過(guò)程有相似之處，不過(guò)工藝并不相同，CPU邏輯工藝今年進(jìn)入到了7nm節(jié)點(diǎn)，但內(nèi)存主流的還是20nm、18nm工藝，其中18nm就屬于1X nm節(jié)點(diǎn)(16-19nm之間)，后面的1Y nm則是14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工藝，具體對(duì)應(yīng)xx nm就不明了。

三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個(gè)進(jìn)入1X nm節(jié)點(diǎn)的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進(jìn)，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了，今年下半年問(wèn)世，1Z nm工藝節(jié)點(diǎn)在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會(huì)上回答了有關(guān)的工藝問(wèn)題，在EUV光刻工藝上，他認(rèn)為EUV光刻機(jī)在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它。

在內(nèi)存工藝上，美光認(rèn)為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝，不過(guò)早前ASML兩年前提到過(guò)內(nèi)存在進(jìn)入1Y nm節(jié)點(diǎn)時(shí)就需要考慮EUV工藝了，實(shí)際上并沒(méi)有，包括三星在內(nèi)的三大DRAM巨頭都沒(méi)有很快進(jìn)入EUV節(jié)點(diǎn)的打算。