高性能GaN器件

隨著社會的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。

某碳化硅器件

在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。

作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板GaN技術(shù)備受關(guān)注。一方面，它可以實(shí)現(xiàn)很高的功率密度，從而縮小設(shè)備的外形尺寸(如電源和適配器);另一方面，它是提高能效的關(guān)鍵。一般而言，基于硅基板GaN技術(shù)的功率器件適用于各種領(lǐng)域，從高壓工業(yè)設(shè)備，如服務(wù)器電源(這也是600V GaN器件的潛在應(yīng)用領(lǐng)域之一)，到低壓設(shè)備，如直流-直流轉(zhuǎn)換器(如在高端消費(fèi)電子產(chǎn)品中)。

IHS發(fā)布的市場研究報告顯示，與硅基板GaN技術(shù)相關(guān)的功率半導(dǎo)體市場，將以高達(dá)50%以上的復(fù)合年增長率(CAGR)增長，也就是說，到2023年，其市場容量將從2014年的1500萬美元，增至8億美元。技術(shù)的不斷發(fā)展，也推動了功率器件的不斷更新，這也需要我們年輕的科研人員更加努力，學(xué)好專業(yè)知識，這樣才能趕得上社會的發(fā)展。