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STM32 內(nèi)部flash的讀寫程序
/*BaseaddressoftheFlashsectors*/#defineADDR_FLASH_SECTOR_0((uint32_t)0x08000000)/*Base@ofSector0,16Kbytes*/#defineADDR_FLASH_SECTOR_1((uint32_t)0x08004000)/*Base@ofSector1,16Kbytes*/#defineADDR_FLASH_
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STM32F系列單片機(jī)內(nèi)部FLASH編程
STM32F系列單片機(jī)內(nèi)部含有較大容量的FLASH存儲(chǔ)器，但沒有EEPROM存儲(chǔ)器，有時(shí)候?qū)τ趨?shù)的保存不得不另外加一片EEPROM芯片。這對(duì)于現(xiàn)如今大部分MCU都是FLASH+EEPROM的配置而言，顯的相當(dāng)?shù)牟缓竦溃绕涫菑腁VR轉(zhuǎn)過來的
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STM32 Internal Flash DFU芯片內(nèi)部flash代碼升級(jí)
這次要講講如何用USB升級(jí)單片機(jī)代碼。以前曾經(jīng)做過串口升級(jí)，網(wǎng)絡(luò)升級(jí)，升級(jí)的基本原理都類似，只不過升級(jí)的工具不同罷了，串口升級(jí)當(dāng)然是用串口了，網(wǎng)絡(luò)升級(jí)用的是TCP/IP，USB升級(jí)當(dāng)然用的是USB了。下面就來講講USB
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STM32F412擦除內(nèi)部FLASH時(shí)間過長
1 前言客戶反饋在使用STM32F412的時(shí)候，擦除sector 8~11發(fā)現(xiàn)時(shí)間過長，從而導(dǎo)致意外觸發(fā)IWDG復(fù)位。2 問題分析2.1 問題詳情通過與客戶郵件和電話溝通，了解到客戶主要是想使用內(nèi)部FLASH暫時(shí)保存IAP升級(jí)時(shí)的程序數(shù)據(jù)，
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讀寫STM32內(nèi)部flash讀寫代碼
由于老師的要求，所以寫了一份讀寫STM32內(nèi)部FLASH的代碼，這樣的話就可以把STM32里面沒有用來保存代碼段的部分用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)了。由于《stm32flash編程手冊(cè)》是很久很久以前看的，現(xiàn)在也沒心情去仔細(xì)看那份手冊(cè)了。大概
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STM32 對(duì)內(nèi)部FLASH讀寫接口函數(shù)
因?yàn)橐脙?nèi)部FLASH代替外部EEPROM，把參數(shù)放在STM32的0x08000000+320K處，其中20K是bootloader，300K是應(yīng)用程序。原理：先要把整頁FLASH的內(nèi)容搬到RAM中，然后在RAM中改動(dòng)，然后擦除整頁FLASH，再把改動(dòng)后的內(nèi)容寫入
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無敵小璐璐
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