如圖所示為TDA8350Q的測試電路,該電路是在推挽功率放大器輸出端用電阻作為假負(fù)載替代偏轉(zhuǎn)線圈進(jìn)行測試。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX; obj.height=newY;
如圖所示為TDA8357J/8359J的測試電路。該電路是在推挽功率放大器輸出端用電阻作為假負(fù)載替代偏轉(zhuǎn)線圈進(jìn)行測試。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX; obj.height=newY
麥景圖275功放級的功放電子管采用KT88或6550來擔(dān)任,每個聲道輸出可達(dá)60W,非線性失真不大于1%,頻率響應(yīng)從20Hz~30KHz,為±0.5dB。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX;
整機的輸入靈敏度為0.6 V,輸入阻抗大于100KΩ,每聲道額定輸出功率為20W+20W,失真系數(shù)優(yōu)于1%,信噪比為85dB,頻率響應(yīng)從10Hz~40KHz±1dB。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width
當(dāng)推挽功放管采用KT88、6550、KTl00時,其輸出功率可達(dá)60W+60W;如推挽功放管采用EL34、6CA7時,其輸出功率為40W+40W;女H推挽功放管采用6P3P、6L6時,其輸出功率為30W+30W。 function resizeImage(evt,obj){ new
Axiom Microdevices有限公司近日宣布:中國手機設(shè)計制造商經(jīng)緯科技(Ginwave Technologies)有限公司,廣泛使用AX502四頻GPRS互補金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)到其多款手機中。 這里所指的Axiom Mic
如圖所示為厚膜集成塊功率放大電路。由圖(a)可知,輸入信號通過阻容耦合電路(電阻為33kΩ,電容為4.7μF)送入STK3048的同相輸入端,經(jīng)厚膜功放塊STK3048放大后,由其輸出端(引腳5、6)加到功放管Q1、Q2的基極。功放采
如圖所示為2W×2音頻功率放:該電路采用了雙集成運放LM1877作為放大器件。由圖可知,電路為上、下對稱結(jié)構(gòu),有兩路信號分別加到LM1877的兩個運放的同相輸入端,其輸出端外接方式相同:由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成
蜂窩通信的發(fā)展與先進(jìn)調(diào)制方案的關(guān)系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中,設(shè)計策略包括實現(xiàn)高線性度同時把功耗減至最小的方法。
如圖所示為2W×2音頻功率放:該電路采用了雙集成運放LM1877作為放大器件。由圖可知,電路為上、下對稱結(jié)構(gòu),有兩路信號分別加到LM1877的兩個運放的同相輸入端,其輸出端外接方式相同:由2.7Ω電阻和0.1μF的電容組成
設(shè)計了一種用于耳機驅(qū)動的CMOS功率放大器,該放大器采用0.35 μm雙層多晶硅工藝實現(xiàn),驅(qū)動32 Ω的電阻負(fù)載.該設(shè)計采用三級放大兩級密勒補償?shù)碾娐方Y(jié)構(gòu),通過提高增益帶寬來提高音頻放大器的性能.仿真結(jié)果表明,該電路的開環(huán)直流增益為70 dB,相位裕度達(dá)到86.6°,單位增益帶寬為100 MHz.輸出級采用推挽式AB類結(jié)構(gòu),能有效地提高輸出電壓的擺幅,從而得到電路在低電源電壓下的高驅(qū)動能力.結(jié)果表明,在3.3 V電源電壓下,電壓輸出擺幅為2.7 V.
本文系統(tǒng)分析了射頻CMOS功率放大器的設(shè)計方法,并基于TSMC 0.35μm RF工藝設(shè)計了一種工作頻率在2.4GHz,電源電壓為3.3V的三級CMOS功率放大器。