當(dāng)前,量產(chǎn)的晶體管已經(jīng)進(jìn)入4nm尺度,3nm研發(fā)也已經(jīng)凍結(jié)進(jìn)入試產(chǎn)。半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec(比利時微電子研究中心)公布了未來十年的技術(shù)藍(lán)圖。據(jù)悉,2025年后,晶體管微縮化進(jìn)入埃米尺度(?,angstrom,1埃 = 0.1納米)
隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米,工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管,他們還必須嘗試更多類型的內(nèi)存;另一方面,14埃米節(jié)點也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了…