EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封裝的GaN FET,實現(xiàn)高效靈活設(shè)計
EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件,讓高功率密度應用實現(xiàn)靈活設(shè)計
GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、機器人和無人機的上市時間
35 AePower?功率級集成電路讓您實現(xiàn)更高的功率密度并簡化設(shè)計
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺,旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng)和加快產(chǎn)品上市步伐
氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅(qū)動器
EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應晶體管,可實現(xiàn)最高功率密度
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應晶體管
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低
EPC與MPS合作開發(fā)基于新型GaN FET的2 kW、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計,實現(xiàn)更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器
4G通訊控制報警電路板開發(fā),要求一個月內(nèi)交付合格產(chǎn)品
預算:¥4000基于STM32的SPI接口,實現(xiàn)wifi無線傳輸
預算:¥12000