宜普電源轉(zhuǎn)換公司

EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封裝的GaN FET，實(shí)現(xiàn)高效靈活設(shè)計(jì)

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)

GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間

35 AePower?功率級(jí)集成電路讓您實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

EPC開(kāi)拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)，旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng)和加快產(chǎn)品上市步伐

氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車(chē)和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可實(shí)現(xiàn)最高功率密度

EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低

EPC與MPS合作開(kāi)發(fā)基于新型GaN FET的2 kW、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器