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EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封裝的GaN FET，實(shí)現(xiàn)高效靈活設(shè)計(jì)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了額定電壓為 100V、150 V和200 V的6個GaN晶體管系列，提供更高的性能、更小的解決方案和易于設(shè)計(jì)的DC/DC 轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動器。
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EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動器。
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GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、機(jī)器人和無人機(jī)的上市時(shí)間
EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。
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35 AePower?功率級集成電路讓您實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并簡化設(shè)計(jì)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出ePower?功率級集成電路，它集成了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時(shí)實(shí)現(xiàn)高達(dá)35 A的輸出電流，為高功率密度應(yīng)用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和D類音頻放大器等應(yīng)用。
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EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺，旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng)和加快產(chǎn)品上市步伐
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
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氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場的時(shí)間。我們可以把這種微型逆變器放進(jìn)電機(jī)外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實(shí)現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。
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EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應(yīng)晶體管，可實(shí)現(xiàn)最高功率密度
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066)，為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
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EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級封裝中，實(shí)現(xiàn) 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電、太陽能逆變器、激光雷達(dá)和 LED 照明的理想器件。
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EPC與MPS合作開發(fā)基于新型GaN FET的2 kW、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器
EPC9165 是一款兩相、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V雙向轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率
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GaN激光雷達(dá)普及加速 | 氮化鎵技術(shù)如何推動ToF激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展？
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測距，多用飛行時(shí)間法(TOF)。簡單來說，就是發(fā)射器發(fā)射出激光，操控模組控制射出方向，激光會照射到目標(biāo)物體表面，并瞬間產(chǎn)生反射，反射光束被接收器接收，處理器計(jì)算出這束光往返的時(shí)間，就能得到這個點(diǎn)的精確距離。當(dāng)發(fā)出無數(shù)道光線之后，就可以用無數(shù)個點(diǎn)來勾勒物體。
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易于使用的設(shè)計(jì)工具幫助工程師縮短基于氮化鎵的功率系統(tǒng)的上市時(shí)間
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)為工程師提供更多的設(shè)計(jì)工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化鎵器件的設(shè)計(jì)。
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基于eGaN?FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板， 讓設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器
EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，可提供2 kW的功率和實(shí)現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。
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基于eGaN?FET的50 W、12 V/60 V升壓轉(zhuǎn)換器， 為筆記本電腦和PC顯示器背光提供高效、簡單和低成本的解決方案
50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉(zhuǎn)換器采用簡單、低成本的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn) 95.3%的峰值效率和低溫升。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)在全數(shù)字國際消費(fèi)電子展(CES?)展示基于氮化鎵技術(shù)的消費(fèi)電子應(yīng)用
歡迎您與氮化鎵(GaN)技術(shù)專家一起在CES的EPC虛擬展臺中，探索基于更高效、更小尺寸和更低成本的氮化鎵場效應(yīng)晶體管和集成電路的解決方案，如何增強(qiáng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的功能和性能。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出100 V eGaN?FET產(chǎn)品,為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)
新一代100 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達(dá)系統(tǒng)的理想功率器件。
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ePower? 功率級集成電路系列，你了解嗎？
什么是ePower? 功率級集成電路系列?它有什么作用?宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出80 V、12.5 A的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對電動車的電機(jī)驅(qū)動器。
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ePower? 功率級集成電路系列解析
現(xiàn)在的集成電路眾多，那么你知道哪些呢?宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出80 V、12.5 A的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對電動車的電機(jī)驅(qū)動器。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）第十階段可靠性測試報(bào)告的亮點(diǎn) 是車規(guī)級氮化鎵器件超越AEC-Q101應(yīng)力測試的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
繼第一至第九階段可靠性測試報(bào)告后，EPC公司的第十階段可靠性測試報(bào)告進(jìn)一步豐富知識庫。此報(bào)告對超過30,000個元件進(jìn)行了超過1,800萬小時(shí)的應(yīng)力測試后，沒有器件發(fā)生故障。在過去的兩年間，我們所付運(yùn)的數(shù)百萬個元件沒有發(fā)生現(xiàn)場失效的情況。
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車規(guī)級eGaN FET使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看到更清晰、更高效，并且降低48 V車用功率系統(tǒng)的成本
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布再多兩個車用氮化鎵(eGaN)器件成功通過AEC Q101測試認(rèn)證，可在車用及其它嚴(yán)峻環(huán)境支持多種全新應(yīng)用。EPC2206及EPC2212是采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCS) 、分別是80 VDS 和100 VDS的分立晶體管。
