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寄生參數(shù)對MOS管有什么影響？MOS管工作狀態(tài)解讀
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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Synopsys的Star RC創(chuàng)造“寄生參數(shù)提取性能”和“可擴(kuò)展性能”新高度
新思科技(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：其StarRC™解決方案的2015.12版本實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新，可以解決由于摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)向更精細(xì)化延伸，而引起的越來越多的寄生參
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如何解決Pspice仿真電路不能過大的問題？
PSPICE仿真的是理想環(huán)境，除非你自己將一些寄生參數(shù)定義到回路中，所以RC過大或過小也不會(huì)計(jì)算到寄生參數(shù)中。您這個(gè)問題有兩個(gè)可能，但兩種都是因?yàn)闀r(shí)間的關(guān)系：1.因?yàn)镽C振蕩電路有一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)就是響應(yīng)時(shí)間和振蕩頻
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開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI預(yù)測探討
針對開關(guān)電源設(shè)計(jì)階段應(yīng)考慮的EMC問題，介紹了PCB及其結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)提取和頻域仿真的方法，在開關(guān)電源設(shè)計(jì)階段對其傳導(dǎo)EMI進(jìn)行預(yù)測，定位開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎(chǔ)上給出開關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時(shí)序分析
摘要：本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時(shí)序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對已通過物理驗(yàn)證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時(shí)序分析
摘要：本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時(shí)序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對已通過物理驗(yàn)證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時(shí)序分析
摘要：本文在簡要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時(shí)序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對已通過物理驗(yàn)證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
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