<td id="zxwq3"><option id="zxwq3"></option></td>

<strong id="zxwq3"><acronym id="zxwq3"></acronym></strong>

<li id="zxwq3"><progress id="zxwq3"><dd id="zxwq3"></dd></progress></li>

導通損耗

關注人關注

我要報錯

工程師必讀開關電源MOS的8大損耗

在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數及工作電路的計算值和預計波形，套用公式進行理論上的近似計算）。

電源系統(tǒng)設計
2021-04-25

MOS MOSFET 導通損耗

<sup id="xvapo"><progress id="xvapo"><strong id="xvapo"></strong></progress></sup>

<rp id="xvapo"><source id="xvapo"></source></rp>