振蕩器

數(shù)字控制文氏橋振蕩器分析

在所有低頻振蕩電路中，文氏橋是最簡單的一種，其工作狀況幾乎不受外部環(huán)境變化的影響，很少發(fā)生背離設(shè)計(jì)初衷的情況。

利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制

通過使傳統(tǒng)開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動器輸出無效的關(guān)斷輸入翻轉(zhuǎn)，脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)可被用來控制電源的工作時間，即緩慢地從0%到100%增加電源的工作時間(圖1)。該方法允許靈活的“軟啟動”，以避免開關(guān)電源啟動時通常出現(xiàn)的大浪涌電流。

利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制

通過使傳統(tǒng)開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動器輸出無效的關(guān)斷輸入翻轉(zhuǎn)，脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)可被用來控制電源的工作時間，即緩慢地從0%到100%增加電源的工作時間(圖1)。該方法允許靈活的“軟啟動”，以避免開關(guān)電源啟動時通常出現(xiàn)的大浪涌電流。

MEMS振蕩器101(圖)

時鐘產(chǎn)品小型化 MEMS振蕩器優(yōu)勢漸顯

性能與成本一直是MEMS振蕩器能夠在多大程度上取代現(xiàn)有石英產(chǎn)品的關(guān)鍵。盡管從絕對出貨量來看，石英產(chǎn)品目前仍占據(jù)著市場主流，但是隨著時鐘產(chǎn)品不斷向小型化、薄型化演進(jìn)，MEMS硅振蕩器在性能、成本與供貨周期等各方

MEMS和FRAM性能獲認(rèn)可，逐漸擴(kuò)大應(yīng)用范圍

基于C8051F系列單片機(jī)的低功耗設(shè)計(jì)

著重介紹C805lF系列單片機(jī)功耗的計(jì)算方法及系統(tǒng)低功耗設(shè)計(jì)的策略．

“小”儀器的全球化品質(zhì)戰(zhàn)略訪廣州IKA公司

12月的廣州仿佛是北國的初夏，或許是天氣熱的關(guān)系，感覺這邊的工作氣氛似乎也比北方要緊張。借在廣州召開學(xué)術(shù)會議之際，本網(wǎng)負(fù)責(zé)同志與中國分析測試協(xié)會的有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)走訪了位于廣州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的德國IKA集團(tuán)在國內(nèi)的

單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法

本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案，可以簡單方便地獲得更好的溫度性能。

單片式振蕩器在儀表中的應(yīng)用

可使一個封閉在反饋環(huán)路中的諧振器產(chǎn)生振蕩。圖 1 中的正弦波發(fā)生器就利用了這一點(diǎn)，從而免除了增設(shè)一個振幅控制環(huán)路的需要。

單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法

介紹單片弛張振蕩器的工作原理，分析弛張振蕩器產(chǎn)生輸出頻率誤差的原因及溫度對輸出頻率的影響，推導(dǎo)出振蕩器達(dá)到零溫度系數(shù)的條件，提出一種弛張振蕩器內(nèi)溫度補(bǔ)償方法。

基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹數(shù)控振蕩器的工作原理，重點(diǎn)闡述用現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)和靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)實(shí)現(xiàn)數(shù)控振蕩器的方法，同時給出采用此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的數(shù)控振蕩器的特點(diǎn)和性能。

基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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驅(qū)動多個固態(tài)繼電器的單個振蕩器

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