晶體管

我要報(bào)錯(cuò)

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載技巧及選擇的注意事項(xiàng)

在電子制作時(shí)，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法，效果差別很大，有的接法甚至?xí)?dǎo)致電路工作不可靠，下面將介紹常見的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電路及元器件的選擇和使用進(jìn)行討論。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2017-11-13

晶體管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)負(fù)載
三選一的信號(hào)開關(guān)，多路開關(guān) CD4027多路開關(guān)

本設(shè)計(jì)實(shí)例，使用一個(gè)單刀瞬時(shí)接觸開關(guān)，通過滾動(dòng)三個(gè)輸出態(tài)選擇三個(gè)信號(hào)源中的一個(gè)。附圖中的電路包括常用的CD4000 CM0s邏輯系列器件，以及一只通用NPN晶體管。所有元件的總成本不超過1美元。在任何一個(gè)時(shí)點(diǎn)上.電路

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2017-10-27

模擬電路邏輯器件模擬開關(guān) 晶體管
實(shí)用簡(jiǎn)易晶體管可調(diào)穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)制作

電子受好者在維修收音機(jī)等實(shí)踐中.常需要一臺(tái)直流穩(wěn)壓電源，代替電池作為電源之用。筆者設(shè)想用市面有賣的元器件，設(shè)計(jì)制作一臺(tái)簡(jiǎn)易晶體管可調(diào)穩(wěn)壓電源，自己DIY出來(lái)，還是很成功的。喜悅之情是不用言表了。這臺(tái)穩(wěn)壓電

電源電路
2017-10-13

可調(diào)穩(wěn)壓電源線性穩(wěn)壓晶體管
Intel 64層閃存率先商用10nm：晶體管密度增2.7倍

Intel這幾年制造工藝的推進(jìn)緩慢頗受爭(zhēng)議，而為了證明自己的技術(shù)先進(jìn)性，Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片，并宣稱同樣是10nm，自己要比對(duì)手領(lǐng)先一代，還透露了未來(lái)7nm、5nm、3nm工藝規(guī)劃。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2017-09-27

Intel 閃存技術(shù)前沿 10nm 晶體管
華為麒麟970處理器真身！55億晶體管恐怖

按照慣例，華為會(huì)在溝通會(huì)上分享更多麒麟970的研發(fā)內(nèi)幕、功能特點(diǎn)以及消費(fèi)者最為關(guān)心的技術(shù)細(xì)節(jié)。IFA上未能了解全面的花粉，此次溝通會(huì)不容錯(cuò)過。

消費(fèi)電子
2017-09-25

華為麒麟970 晶體管
基于LabVIEW的三極管老化測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)

針對(duì)一些功率器件(功率三極管、VDMOS,IGBT等),通過有規(guī)律給元器件通電和斷電,循環(huán)施加電應(yīng)力和熱應(yīng)力,可以檢驗(yàn)其承受循環(huán)應(yīng)力的能力?；谏鲜鲈?借助可視化編程語(yǔ)言LabVIEW和NI系列sb RIO-9612板卡,本文設(shè)計(jì)了一種三極管老化測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)滿足國(guó)軍標(biāo)GJB1036的試驗(yàn)要求,每個(gè)工位的采樣時(shí)間不大于4μs,總共64工位的采樣周期不大于300μs,滿足了快速控制的要求,同時(shí)還不失精準(zhǔn),電壓和電流的采樣分辨率達(dá)到了12 bit,精度達(dá)到1%,從而控制了器件結(jié)溫誤差。

測(cè)試測(cè)量
2017-09-22

LabVIEW 三極管可視化編程晶體管
EPC產(chǎn)品榮獲2017年度“Top10電源產(chǎn)品–最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)第五代氮化鎵(eGaN®)晶體管及集成電路系列榮獲《今日電子》與21IC中國(guó)電子網(wǎng)頒發(fā)2017年度“Top10電源產(chǎn)品—最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)在2017年9月15日于北京舉行的電源技術(shù)研討會(huì)上頒發(fā)。

功率器件
2017-09-21

epc 電源新品第五代氮化鎵晶體管
“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝

今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。

模擬
2017-09-20

英特爾摩爾定律晶體管
英特爾首款10納米FPGA計(jì)劃

“英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2017-09-20

英特爾技術(shù)前沿制程工藝晶體管
抑制啟動(dòng)電流的好方法

最簡(jiǎn)單的辦法是串個(gè)電感，利用通過電感的電流不能突變的特性來(lái)抑制峰值，但此法體積較大。更好的方法是利用晶體管限流電路來(lái)做軟啟動(dòng)，最好的辦法則是改進(jìn)電源電路本身來(lái)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。

電源電路
2017-09-19

開關(guān)電源抑制啟動(dòng)電流晶體管
突破！美休斯頓大學(xué)研制可拉伸全橡膠電子器件

美國(guó)休斯敦大學(xué)華人科學(xué)家余存江助理教授課題組在新一期美國(guó)《科學(xué)進(jìn)展》雜志上報(bào)告說，他們?cè)谌嵝钥衫祀娮宇I(lǐng)域取得新突破，研制出了可拉伸的橡膠半導(dǎo)體和導(dǎo)體材料，并利用這些材料制成全橡膠晶體管、傳感器和機(jī)器人皮膚。

模擬
2017-09-15

半導(dǎo)體傳感器機(jī)器人晶體管
論iPhone處理器十年進(jìn)化史

今天，蘋果發(fā)布了最新一代的iPhone，作為新一代的旗艦，新手機(jī)的功能承載了蘋果對(duì)未來(lái)的希望和消費(fèi)者的期待。但從我們半導(dǎo)體人看來(lái)更關(guān)注的是內(nèi)部技術(shù)的演變，尤其是其處理器上。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2017-09-14

iPhone 技術(shù)前沿處理器a4 晶體管
關(guān)于芯片的那些事兒

三星宣布，加入了11nm 工藝，性能比此前的14nm提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。若要遵循摩爾定律繼續(xù)走下去，未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)還會(huì)有多大所提升空間呢?

嵌入式動(dòng)態(tài)
2017-09-14

半導(dǎo)體摩爾定律 finfet 行業(yè)資訊晶體管
采用光電隔離的SIPMOS晶體管控制電路圖

輸入端經(jīng)過電阻R2接地，以使其輸出端在電源電壓降至4V時(shí)還是開路的，即兩個(gè)推挽輸出晶體管保持在截止?fàn)顟B(tài)。這樣可使電源電壓在上升至3V左右時(shí)光耦輸出側(cè)仍為低電平，以使后接的六反相器4049能控制SIPMOS晶體管。在工

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2017-09-13

模擬電路光電隔離 sipmos 晶體管
簡(jiǎn)單的晶體管逆變器電路圖

在偏遠(yuǎn)鄉(xiāng)村，經(jīng)常會(huì)有停電現(xiàn)象，有些大學(xué)到一定時(shí)間也會(huì)自動(dòng)關(guān)燈，不過這沒關(guān)系，有了它，這些就可以解決。這是一款非常容易制作的逆變器，可以將12V電源電壓變?yōu)?20V市電，電路由BG2和BG3組成的多諧振蕩器推動(dòng)，再

電源電路
2017-09-05

逆變器綜合電源晶體管
摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)正在逐漸消失？

摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來(lái)的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個(gè)月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2017-08-17

芯片摩爾定律 euv 行業(yè)資訊晶體管
特殊晶體管的檢測(cè)方法

普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成，其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬(wàn)用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來(lái)測(cè)量。

測(cè)試測(cè)量
2017-08-14

萬(wàn)用表普通達(dá)林頓管晶體管
摩爾定律再獲續(xù)命丹？三維芯片研發(fā)取得突破

近年來(lái)由于各項(xiàng)智能設(shè)備以及人工智能的應(yīng)用，人們對(duì)芯片計(jì)算能力的需求越來(lái)越大。芯片的運(yùn)算能力取決于基本運(yùn)算單元電晶體的多寡，但由于電晶體的研發(fā)已漸漸接近物理極限，無(wú)法再繼續(xù)縮小，因此科學(xué)家及各個(gè)科技大廠正在不斷研究下個(gè)能使芯片運(yùn)算速度提升的方法。

功率器件
2017-07-11

摩爾定律電源新品三維芯片晶體管
單向感應(yīng)器電路

當(dāng)一個(gè)物體以一個(gè)方向運(yùn)行時(shí)，該電路可以探測(cè)該物體，但是如果它以相反方向運(yùn)行，則無(wú)法探測(cè)。兩個(gè)感應(yīng)器是用來(lái)確定方向感的。物體是否能夠阻擋光線到達(dá)光電晶體管Q1和Q2是

電源電路
2017-07-06

電路感應(yīng)器電源其他電源電路晶體管
要成為模擬電路的設(shè)計(jì)者必須掌握以下四個(gè)組成部分

模擬電路再怎么說，關(guān)鍵的是多學(xué)多做，做出片子就自然懂得哪些知識(shí)點(diǎn)需要掌握了。這里就主要談?wù)剬W(xué)習(xí)模擬電路要求的四個(gè)知識(shí)部分，要成為模擬電路的設(shè)計(jì)者，我們必須掌握其最基本的以下四個(gè)組成部分：

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2017-06-28

電源技術(shù)解析模擬電路晶體管

首頁(yè) 上一頁(yè) 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 下一頁(yè) 尾頁(yè)

晶體管

晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載技巧及選擇的注意事項(xiàng)

三選一的信號(hào)開關(guān)，多路開關(guān) CD4027多路開關(guān)

實(shí)用簡(jiǎn)易晶體管可調(diào)穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)制作

Intel 64層閃存率先商用10nm：晶體管密度增2.7倍

華為麒麟970處理器真身！55億晶體管恐怖

基于LabVIEW的三極管老化測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)

EPC產(chǎn)品榮獲2017年度“Top10電源產(chǎn)品–最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”

“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝

英特爾首款10納米FPGA計(jì)劃

抑制啟動(dòng)電流的好方法

突破！美休斯頓大學(xué)研制可拉伸全橡膠電子器件

論iPhone處理器十年進(jìn)化史

關(guān)于芯片的那些事兒

采用光電隔離的SIPMOS晶體管控制電路圖

簡(jiǎn)單的晶體管逆變器電路圖

摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)正在逐漸消失？

特殊晶體管的檢測(cè)方法

摩爾定律再獲續(xù)命丹？三維芯片研發(fā)取得突破

單向感應(yīng)器電路

要成為模擬電路的設(shè)計(jì)者必須掌握以下四個(gè)組成部分

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻