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ASML表態(tài): 沒(méi)有EUV光刻機(jī)，芯片廠商造不出7nm以下工藝芯片
作為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過(guò)程中最重要的裝備，光刻機(jī)一直牽動(dòng)人心。事實(shí)上，制程工藝越先進(jìn)就要離不開(kāi)先進(jìn)光刻機(jī)。 光刻是半導(dǎo)體芯片制造中最費(fèi)時(shí)間也是最費(fèi)成本的環(huán)節(jié)之一，而且它決定了芯片的工藝水平，常說(shuō)的XXnm工藝主要是看光刻機(jī)水平，10nm工藝之后難度越來(lái)越大，光刻機(jī)也需要升級(jí)到EUV級(jí)別。
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三星1160億美元尋求芯片霸權(quán)背后：最昂貴的制造升級(jí)
北京時(shí)間12月26日上午消息，據(jù)外媒報(bào)道，科技巨頭們不斷在設(shè)計(jì)各自的半導(dǎo)體，從而優(yōu)化從人工智能任務(wù)到服務(wù)器性能到移動(dòng)生活的種種。谷歌有Tensor處理器，蘋(píng)果有A13仿生芯片，亞馬遜有Graviton
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首次加入EVU極紫外光刻 臺(tái)積電二代7nm+工藝開(kāi)始量產(chǎn)
臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先INTEL、三星一大步。
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臺(tái)積電N7+工藝節(jié)點(diǎn)明年量產(chǎn)
在工藝技術(shù)方面，臺(tái)積電宣布以N7+工藝節(jié)點(diǎn)投片客戶(hù)芯片，該工藝節(jié)點(diǎn)采用可處理4層掩膜的EUV。而其N(xiāo)5 EUV則可提高到處理多達(dá)14層掩膜，并將在明年4月準(zhǔn)備好進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。通過(guò)EUV技術(shù)可望減少先進(jìn)設(shè)計(jì)所需的掩膜數(shù)，從而降低成本。
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全球首次極紫外光刻！三星7nm提前半年完工：搶驍龍855
據(jù)報(bào)道，三星已經(jīng)完成了7nm新工藝的研發(fā)，而且比預(yù)期進(jìn)度提早了半年，這為三星與臺(tái)積電爭(zhēng)搶高通驍龍855代工訂單奠定了基礎(chǔ)。
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