光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù)。
EUV光刻機是一項技術(shù)奇跡。 一臺發(fā)生器每秒噴射出5萬個微小的熔錫液滴,高功率激光對每個液滴進行兩次爆破,第一次可以使錫成形,第二次是使錫蒸發(fā)成等離子體。 等離子體發(fā)出極紫外光輻射,這種輻射聚集成光束
臺積電今天宣布,N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶,這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。 EUV光刻采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源,可使曝光波長直接降到13.5n
臺積電官方宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù),意義非凡,也領(lǐng)先Intel、三星一大步。 臺積電表示,7nm+ EVU工藝的良品率已經(jīng)提高