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準(zhǔn)分子光刻技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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技術(shù)奇跡！EUV光刻機(jī)被美國(guó)限制出口的真相
EUV光刻機(jī)是一項(xiàng)技術(shù)奇跡。 一臺(tái)發(fā)生器每秒噴射出5萬(wàn)個(gè)微小的熔錫液滴，高功率激光對(duì)每個(gè)液滴進(jìn)行兩次爆破，第一次可以使錫成形，第二次是使錫蒸發(fā)成等離子體。 等離子體發(fā)出極紫外光輻射，這種輻射聚集成光束
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臺(tái)積電7nm+大量供貨：近40年終于實(shí)現(xiàn)EUV光刻
臺(tái)積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶，這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)直接降到13.5n
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首次加入EUV極紫外光刻！臺(tái)積電二代7nm+工藝已量產(chǎn)
臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。 臺(tái)積電表示，7nm+ EVU工藝的良品率已經(jīng)提高
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