臺積電7nm+大量供貨：近40年終于實現EUV光刻

臺積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經大批量供應給客戶，這是該公司乃至全產業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。

EUV光刻采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長直接降到13.5nm，研發(fā)，推動更先進工藝。

EUV光刻技術早在20世紀80年代就已經研發(fā)出來，最初計劃用于70nm工藝，但光刻機指標一直達不到需求，加之成本居高不下，芯片廠商不得不引入沉浸式光刻、雙重乃至多重曝光來開發(fā)新工藝。

按照臺積電的說法，他們的EUV光刻機已經可以在日常生產中穩(wěn)定輸出超過250W的功率，完全可以滿足現在以及未來新工藝的需求。

三星7nm工藝也在引入EUV，不過進展相比臺積電要落后很多。

臺積電表示，7nm+的量產速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量產，并且在良品率上迅速達到了已經量產1年多的7nm工藝的水平。

7nm+相比于7nm在性能上可帶來15-20％的晶體管密度提升，同時改進了功耗。

臺積電7nm+工藝已經應用于多家客戶的產品，但官方沒有給出具體名單，目前唯一可完全確認的就是華為麒麟990 5G，AMD下一代Zen 3架構也一直標注為7nm+工藝。

接下來，臺積電將繼續(xù)奔向6nm、5nm、3nm、2nm，其中6nm(N6)相當于7nm的升級版，設計規(guī)則完全兼容，繼續(xù)采用EUV技術，晶體管密度可比7nm提升18％，預計明年第一季度試產，明年底量產。