復(fù)旦攻讀微電子專業(yè)模擬芯片設(shè)計方向研究生開始到現(xiàn)在五年工作經(jīng)驗,已經(jīng)整整八年了,其間聆聽過很多國內(nèi)外專家的指點。最近,應(yīng)朋友之邀,寫一點心得體會和大家共享。
采樣保持電路(采樣/保持器)又稱為采樣保持放大器。當(dāng)對模擬信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換時,需要一定的轉(zhuǎn)換時間,在這個轉(zhuǎn)換時間內(nèi),模擬信號要保持基本不變,這樣才能保證轉(zhuǎn)換精度。采樣保持電路即為實現(xiàn)這種功能的電路。
按電路模塊進(jìn)行布局,實現(xiàn)同一功能的相關(guān)電路稱為一個模塊,電路模塊中的元件應(yīng)采用就近集*則,同時數(shù)字電路和模擬電路分開;
模擬地/數(shù)字地以及模擬電源/數(shù)字電源只不過是相對的概念。提出這些概念的主要原因是數(shù)字電路對模擬電路的干擾已經(jīng)到了不能容忍的地步。
本文為大家?guī)韮蓚€模擬多路開關(guān)CD4051的擴(kuò)展電路。當(dāng)采樣的通道比較多,可以將兩個或兩個以上的多路開關(guān)并聯(lián)起來。兩個8路開關(guān)擴(kuò)展成16路的多路開關(guān)的方法如圖所示。
IC Insights預(yù)估,在電源管理、訊號轉(zhuǎn)換與汽車電子三大應(yīng)用的帶動下,模擬芯片市場在2017~2022年的復(fù)合年增率(CAGR)將達(dá)到6.6%,優(yōu)于整體IC市場的5.1% 。2017年全球模擬芯片市場的規(guī)模為545億美元,預(yù)估到2022年時,市場規(guī)模將達(dá)到748億美元。
所示是表示RS觸發(fā)器的工作原理圖,當(dāng)開關(guān)既不在S端,也不在R端時,觸發(fā)器的輸出端是不確定的。當(dāng)開關(guān)置向一側(cè)時,就決定了觸發(fā)器的輸出。例如當(dāng)開關(guān)置于S端時,S端為低電平(地).R端則為高電平,與非門①的輸入為低電
直流電阻的測量方法無非是非在路測量的時候,通過測量輸入腳和輸出腳對地,或電源腳對地的直流電阻的大小來判斷其運放好壞,跟一個好的運放進(jìn)行比較來判斷其好壞,第二,在路測量其輸入腳和輸出腳電壓,如果輸入腳有輸入信號輸出腳沒有輸出信號,排除偏置部分的問題,那么就是由于運放損壞,或者說在其輸入端加入干擾信號觀察輸出端的波形,如果變化不大則說明運放已經(jīng)壞了。
讀放大電路圖時也還是按照“逐級分解、抓住關(guān)鍵、細(xì)致分析、全面綜合”的原則和步驟進(jìn)行。首先把整個放大電路按輸入、輸出逐級分開,然后逐級抓住關(guān)鍵進(jìn)行分析弄通原理。放大電路有它本身的特點:一是有靜態(tài)和動態(tài)兩種工作狀態(tài),所以有時往往要畫出它的直流通路和交流通路才能進(jìn)行分析;二是電路往往加有負(fù)反饋,這種反饋有時在本級內(nèi),有時是從后級反饋到前級,所以在分析這一級時還要能“瞻前顧后”。在弄通每一級的原理之后就可以把整個電路串通起來進(jìn)行全面綜合。
晶閘管在調(diào)壓電路中的應(yīng)用見下圖。 220V交流電壓經(jīng)過橋式整流器(圖中1)后,通過R1,R4以及RP(圖中2)為電容器C(圖中3)充電,當(dāng)電壓達(dá)到單結(jié)晶體管VT(雙基極二極管,圖中4)峰點電壓時,VT由截止變?yōu)閷?dǎo)通,電容C通過雙基
常用分析電路的方法有以下幾種:1、直流等效電路分析法在分析電路原理時,要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號時,各半導(dǎo)體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置,也就是它們的靜態(tài)工作點。交流電
首先讓我們從BUCK變換器的概念開始講起,Buck變換器也稱降壓式變換器,是一種輸出電壓小于輸進(jìn)電壓的單管不隔離直流變換器。
自耦變壓器是輸出和輸入共用一組線圈的特殊變壓器.升壓和降壓用不同的抽頭來實現(xiàn).比共用線圈少的部分抽頭電壓就降低.比共用線圈多的部分抽頭電壓就升高.其實原理和普通變壓器一樣的,只不過他的原線圈就是它的副線圈```一般的變壓器是左邊一個原線圈通過電磁感應(yīng),使右邊的副線圈產(chǎn)生電壓``,自耦變壓器是自己影響自己
復(fù)旦攻讀微電子專業(yè)模擬芯片設(shè)計方向研究生開始到現(xiàn)在五年工作經(jīng)驗,已經(jīng)整整八年了,其間聆聽過很多國內(nèi)外專家的指點。 最近,應(yīng)朋友之邀,寫一點心得體會和大家共享。
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來越薄,芯片的面積規(guī)模越來越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。
811電子管功放電路圖如下所示:
延時啟動開關(guān)電路不合上電源開關(guān)S是地,由于RC的延時作用,剛開始時,5S模塊的③、④腳為高電平,模塊內(nèi)部的電路關(guān)斷,繼電器J處于釋放狀態(tài),由于二極管的作用,使燈 泡H兩端的電壓僅為額定電壓(220V)的0.45倍,即9
6N7P在B類功率放大時的推薦參數(shù):屏極供電電壓(Uaa):300V;零信號和最大信號時屏極電流(la):35mA/70mA;柵負(fù)壓(Ug1):0V;兩管柵極間驅(qū)動電壓(Ug-grms):58V。B類放大器柵負(fù)壓設(shè)定在屏極電流近似截止處,只有在信號的
我想回答一下這個問題。這是一個重要的問題。很多人有疑問,現(xiàn)在是一個數(shù)字時代,我為什么要學(xué)模擬電路。zhihu里面還有一個問題是“模擬電路設(shè)計師會不會消失掉”
工程領(lǐng)域中的數(shù)字設(shè)計人員和數(shù)字電路板設(shè)計專家在不斷增加,這反映了行業(yè)的發(fā)展趨勢。盡管對數(shù)字設(shè)計的重視帶來了電子產(chǎn)品的重大發(fā)展,但仍然存在,而且還會一直存在一部分與模擬或現(xiàn)實環(huán)境接口的電路設(shè)計。