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一種高精度低功耗的 BiCMOS 過溫保護電路
摘 要 ：基于 UMC0.25 μm BCD 工藝，設計了一種高精度低溫漂的過溫保護電路。相對傳統(tǒng)電壓比較器結構的過溫保護電路，無電壓比較器結構的過溫保護電路利用雙極型晶體管的溫度特性和閾值電壓來檢測芯片內(nèi)部溫度和控制芯片的關斷。當芯片內(nèi)部溫度高于系統(tǒng)設定值時，過溫保護電路輸出高電平并且關斷芯片其他模塊，實現(xiàn)過溫保護功能。利用 Cadence 和 Hspice 仿真軟件對過溫保護電路進行驗證分析。仿真結果表明 ：在電源電壓為 5 V， 且芯片工作溫度上升過程中，當芯片內(nèi)部溫度高于 100.02 ℃時，過溫保護電路輸出高電平，芯片系統(tǒng)被過溫保護
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有源元件溫度系數(shù)對總誤差的影響
現(xiàn)在市面上可以看到很多0V~30V或60V可調(diào)直流輸出范圍的電源，但高于60V的電源則很少。本設計實例可提供這樣一個解決方案。 現(xiàn)在有很多固定電壓開關模式電源(SMPS)，
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一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源設計
摘要：設計了一種結構簡單的基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源。以BrokaW帶隙基準電壓源結構為基礎來進行設計。采用Cadence的Spectre仿真工具對電路進行了完整模擬仿真，-20～125℃溫度范圍內(nèi)，基準電壓溫度系數(shù)大約為17.4 ppm/℃，輸出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz頻率范圍內(nèi)平均電源抑制比(PSRR)為-46.8 dB。電路實現(xiàn)了良好的溫度特性和高精度輸出。
