<form id="ie957"></form>

<center id="ie957"><noscript id="ie957"><output id="ie957"></output></noscript></center>

電力電子應(yīng)用

關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

寬帶隙技術(shù)：21世紀(jì)電力電子應(yīng)用的新規(guī)范

在過去的二十年中，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了實驗，這些材料顯示出巨大的潛力來替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體應(yīng)用中的現(xiàn)有硅材料技術(shù)。在新世紀(jì)即將來臨之際，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)達到了足夠的成熟度并獲得了足夠的吸引力，從而拋棄了其他潛在的替代方法，并得到了全球工業(yè)制造商的足夠關(guān)注。

安森美(onsemi)
2020-07-02

氮化鎵寬帶隙電力電子應(yīng)用

<samp id="38cm4"><rp id="38cm4"><listing id="38cm4"></listing></rp></samp>

<menu id="38cm4"></menu>