硅穿孔

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什么是硅穿孔技術(shù)

隨著科技的飛速發(fā)展，微電子技術(shù)已成為現(xiàn)代社會(huì)不可或缺的一部分。在這個(gè)領(lǐng)域中，硅穿孔技術(shù)(Through-Silicon Via, TSV)正逐漸嶄露頭角，成為連接微電子器件內(nèi)部和外部世界的橋梁。本文將詳細(xì)介紹硅穿孔技術(shù)的概念、原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2024-03-17

微電子技術(shù) 硅穿孔微電子器件
三星率先開(kāi)發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：?jiǎn)涡酒萘刻嶂?4GB

近日，三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開(kāi)發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大，如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn)，其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱(chēng)，他們得以將12片DRAM芯片通過(guò)60

半導(dǎo)體
2019-10-08

三星芯片硅穿孔