離子注入機是高壓小型加速器中的一種,應用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子,經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流,用做半導體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入,還用于金屬材料表面改性和制膜等。
M EVVA源是金屬蒸汽真空弧離子源的縮稱。這是上世紀80年代中期由美國加州大學伯克利分校的布朗博士由于核物理研究的需要發(fā)明研制成功的。這種新型的強流金屬離子源問世后很快就被應用于非半導體材料離子注入表面改性,并引起了強流金屬離子注入的一場革命,這種獨特的離子注入機被稱為新一代金屬離子注入機。
由于眾所周知的原因,近期國外尤其是美國對中國的科技“卡脖子”打擊,這也掀起了我國自主研發(fā)突破國外封鎖的一波熱潮,近期也是捷報頻頻。在芯片方面,離子注入機是芯片制造中的關(guān)鍵裝備,中國電子科技集團有限公司近日公布,該集團旗下電科裝備已成功實現(xiàn)離子注入機全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化,可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機一站式解決方案。
6月30日消息 新華社報道,中國電子科技集團宣布,由該集團旗下電科裝備自主研制的高能離子注入機成功實現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,性能達到國際先進水平。獲悉,離子注入機是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造
近期由國內(nèi)半導體行業(yè)資訊,萬業(yè)企業(yè)全資子公司上海凱世通半導體股份有限公司(以下簡稱“凱世通”)的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室,目前正在