紫外LED

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日本日機(jī)裝公司設(shè)立深紫外LED生產(chǎn)廠

　 LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊位于日本東京的日機(jī)裝公司表示，公司正在設(shè)立新的深紫外LED工廠，目標(biāo)是在2014年中開始投產(chǎn)，UVB和UVC LED光源年產(chǎn)能超過(guò)100萬(wàn)組。該司將在北美SPIE光電展推出新的深紫外LED產(chǎn)品線，并

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2014-02-17

紫外LED LED光源 SPI 低電壓
冷熱交替 LED產(chǎn)業(yè)山南山北不同天

21ic訊臨近歲末，還沒來(lái)得及慶祝豐收的喜悅，不少LED企業(yè)就開始忙于明年的規(guī)劃之中。LED背光產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨向平緩，LED照明應(yīng)用市場(chǎng)將成為2014年企業(yè)角逐的重頭戲。無(wú)論是國(guó)內(nèi)還是國(guó)外，LED企業(yè)都是磨刀霍霍，

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2013-12-10

照明應(yīng)用 LED芯片 LED產(chǎn)業(yè) 紫外LED
陜西LED芯片技術(shù)異軍突起每年產(chǎn)值增速20%

近日，從正在西安召開的“2013LED技術(shù)發(fā)展研討會(huì)”上了解到，目前，西安省基本形成了涵蓋外延片、芯片、封裝、應(yīng)用和生產(chǎn)裝備較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，每年的產(chǎn)值以20%-30%的增速在發(fā)展。 這兩天，西安中為光

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2013-12-05

芯片技術(shù) 光電 LED芯片紫外LED
陜西LED芯片技術(shù)水平提升年產(chǎn)值增速20%

 記者從正在西安召開的“2013LED技術(shù)發(fā)展研討會(huì)”上了解到，目前陜西省的LED芯片研發(fā)、生產(chǎn)已居全國(guó)領(lǐng)先水平，每年的產(chǎn)值以20%-30%的增速在發(fā)展。    這兩天，西安中為光電科技

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2013-12-05

芯片技術(shù) 光電 LED芯片紫外LED
陜西LED芯片技術(shù)異軍突起，每年產(chǎn)值增速20%

近日，從正在西安召開的“2013LED技術(shù)發(fā)展研討會(huì)”上了解到，目前，西安省基本形成了涵蓋外延片、芯片、封裝、應(yīng)用和生產(chǎn)裝備較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，每年的產(chǎn)值以20%-30%的增速在發(fā)展。這兩天，西安中為光電

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2013-12-04

芯片技術(shù) 光電 LED芯片紫外LED
研發(fā)新熱點(diǎn)：深紫外LED醫(yī)療將成大熱門

 深紫外光是指波長(zhǎng)100納米到280納米之間的光波，在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測(cè)、高密度信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值。與汞燈紫外光源相比，基于氮化鋁鎵（AlGaN）材料的深紫外發(fā)光二極管（L

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2013-11-27

輸出功率 LED芯片 GAN 紫外LED
深紫外LED醫(yī)療研發(fā)成新熱點(diǎn)

　　21ic電子網(wǎng)訊：深紫外光是指波長(zhǎng)100納米到280納米之間的光波，在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測(cè)、高密度信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值。與汞燈紫外光源相比，基于氮化鋁鎵（AlGaN）材料的深紫外發(fā)光二極管（

醫(yī)療電子
2013-11-26

輸出功率 LED芯片 GAN 紫外LED
深紫外LED消毒強(qiáng) 醫(yī)療研發(fā)成新熱點(diǎn)

深紫外光是指波長(zhǎng)100納米到280納米之間的光波，在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測(cè)、高密度信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值。與汞燈紫外光源相比，基于氮化鋁鎵（AlGaN）材料的深紫外發(fā)光二極管（LED）具備堅(jiān)固、節(jié)

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2013-11-21

輸出功率 LED芯片 GAN 紫外LED
美國(guó)開發(fā)出新型紫外LED 可用于便攜燈具

據(jù)悉，美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)正在開發(fā)一種新型紫外LED，它可能為我們帶來(lái)更便攜的燈具和更低成本的技術(shù)。這項(xiàng)專利未決的LED，創(chuàng)造了一個(gè)比市面上的商用紫外LED更為精確的紫外光波長(zhǎng)，并可以在更低的電壓下運(yùn)行，比其他用

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2013-09-12

工程師紫外線紫外光紫外LED
美國(guó)新型紫外LED燈可用于便攜式裝置

美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)正在開發(fā)一種新型紫外LED，它可能為我們帶來(lái)更便攜的燈具和更低成本的技術(shù)。這項(xiàng)專利未決的LED，創(chuàng)造了一個(gè)比市面上的商用紫外LED更為精確的紫外光波長(zhǎng)，并可以在更低的電壓下運(yùn)行，比其他用于創(chuàng)

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2013-09-11

工程師紫外線 LED燈紫外LED
紫外LED照射器的人機(jī)交互模塊設(shè)計(jì)

摘要：隨著紫外LED照射器在工業(yè)中的應(yīng)用，普通的人機(jī)交互模塊已經(jīng)無(wú)法滿足復(fù)雜的工業(yè)需求，介紹了一種人際交互模塊在紫外LED照射器中的應(yīng)用設(shè)計(jì)，在硬件上利用Blackfin531的PPI接口，并且基于Visual DSP++5．0開發(fā)環(huán)

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2012-09-02

人機(jī)交互模塊設(shè)計(jì) BSP 紫外LED
首爾半導(dǎo)體在韓國(guó)及國(guó)際注冊(cè)突破一萬(wàn)項(xiàng)LED專利

世界著名LED專業(yè)企業(yè)首爾半導(dǎo)體今日宣布，公司已申請(qǐng)、注冊(cè)并獲得10,000余項(xiàng)國(guó)內(nèi)外LED專利。首爾半導(dǎo)體是擁有最多專利數(shù)量的全球性LED供應(yīng)商之一，在韓國(guó)及全球LED制造業(yè)實(shí)現(xiàn)取得了無(wú)與倫比的驕人紀(jì)錄。首爾半導(dǎo)體投

消費(fèi)電子
2012-02-03

LED 首爾半導(dǎo)體 IC 紫外LED
首爾半導(dǎo)體在韓國(guó)及國(guó)際注冊(cè)突破10,000項(xiàng)LED專利

韓國(guó)首爾—世界著名LED專業(yè)企業(yè)首爾半導(dǎo)體2月1日宣布，公司已申請(qǐng)、注冊(cè)并獲得10,000余項(xiàng)國(guó)內(nèi)外LED專利。首爾半導(dǎo)體是擁有最多專利數(shù)量的全球性LED供應(yīng)商之一，在韓國(guó)及全球LED制造業(yè)實(shí)現(xiàn)取得了無(wú)與倫比的驕人紀(jì)錄。

消費(fèi)電子
2012-02-02

LED 首爾半導(dǎo)體 IC 紫外LED
斯坦利電氣開發(fā)出利用玻璃封裝的紫外LED

斯坦利電氣開發(fā)完成了利用玻璃封裝的紫外LED，由于采用無(wú)機(jī)材料作為封裝材料，因此由紫外線導(dǎo)致的性能劣化較小，與使用樹脂材料時(shí)相比，延長(zhǎng)了組件壽命。斯坦利電氣希望開拓此前無(wú)法使用LED的嚴(yán)酷環(huán)境(比如高溫、多濕

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2011-12-09

電氣封裝 LED芯片紫外LED
Aquionics與Dot Metrics合作將推出紫外LED消毒產(chǎn)品

美國(guó)Aquionics公司近日與專注于紫外LED的Dot Metrics公司簽署聯(lián)合研發(fā)合作協(xié)議，共同開發(fā)紫外LED消毒產(chǎn)品，預(yù)期幾個(gè)月后將在市場(chǎng)上推出新的消毒產(chǎn)品。由于汞燈發(fā)出的紫外光消毒還有很多缺點(diǎn)，而紫外LED則可以完全克

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2011-08-05

NI IC UI 紫外LED
日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO類紫外LED功率提高至100ΜW

日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO（氧化鋅）類紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類紫外LED的約110，“明確了追趕GaN類產(chǎn)品的前進(jìn)道路”（東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)

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2011-06-02

元件羅姆單晶紫外LED
日本將ZnO類紫外LED光強(qiáng)提高到原產(chǎn)品的1萬(wàn)倍

據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍，是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。據(jù)研究小組介紹，制造LED元件時(shí)采用了MBE(分子束外延)法，并開發(fā)出了不使用

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2011-06-01

元件單晶 INGAN 紫外LED
日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類紫外LED功率提高至100ΜW

據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)教授川崎雅司表示，此項(xiàng)

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2011-05-27

元件羅姆單晶紫外LED
日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類紫外LED功率提高至100μW

據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO（氧化鋅）類紫外led的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)教授川崎雅司表示，此

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2011-05-26

元件羅姆單晶紫外LED
LED照明取得重大進(jìn)展仍面臨諸多問(wèn)題

2011年4月8日，由廈門市人民政府主辦的2011中國(guó)（廈門）led室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展論壇在廈門國(guó)際會(huì)展中心召開?？萍疾扛辈块L(zhǎng)曹建林、中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)李晉閩、美國(guó)通用電氣照明集團(tuán)亞太總裁畢堅(jiān)文、IEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

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2011-04-13

半導(dǎo)體照明 LED照明 LM 紫外LED

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紫外LED

日本日機(jī)裝公司設(shè)立深紫外LED生產(chǎn)廠

冷熱交替 LED產(chǎn)業(yè)山南山北不同天

陜西LED芯片技術(shù)異軍突起每年產(chǎn)值增速20%

陜西LED芯片技術(shù)水平提升年產(chǎn)值增速20%

陜西LED芯片技術(shù)異軍突起，每年產(chǎn)值增速20%

研發(fā)新熱點(diǎn)：深紫外LED醫(yī)療將成大熱門

深紫外LED醫(yī)療研發(fā)成新熱點(diǎn)

深紫外LED消毒強(qiáng) 醫(yī)療研發(fā)成新熱點(diǎn)

美國(guó)開發(fā)出新型紫外LED 可用于便攜燈具

美國(guó)新型紫外LED燈可用于便攜式裝置

紫外LED照射器的人機(jī)交互模塊設(shè)計(jì)

首爾半導(dǎo)體在韓國(guó)及國(guó)際注冊(cè)突破一萬(wàn)項(xiàng)LED專利

首爾半導(dǎo)體在韓國(guó)及國(guó)際注冊(cè)突破10,000項(xiàng)LED專利

斯坦利電氣開發(fā)出利用玻璃封裝的紫外LED

Aquionics與Dot Metrics合作將推出紫外LED消毒產(chǎn)品

日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO類紫外LED功率提高至100ΜW

日本將ZnO類紫外LED光強(qiáng)提高到原產(chǎn)品的1萬(wàn)倍

日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類紫外LED功率提高至100ΜW

日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類紫外LED功率提高至100μW

LED照明取得重大進(jìn)展仍面臨諸多問(wèn)題

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