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納米測(cè)量電流誤差來(lái)自哪里？
要測(cè)量弱電流，就必須理解各種潛在的誤差源[1]，這些誤差會(huì)造成人們所不希望出現(xiàn)的測(cè)量誤差[2]。影響多種類型的納米電子器件的測(cè)量結(jié)果的兩種極為常見(jiàn)的誤差源是摩擦生電效應(yīng)和電化學(xué)效應(yīng)（圖2）。
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納米測(cè)量最優(yōu)解決方案
本文僅僅探討了納米技術(shù)[1]的多種應(yīng)用中的少數(shù)幾個(gè)，以及需要更為深入地理解所研究的器件和材料時(shí)必須采用的測(cè)量方法。每天，各研發(fā)實(shí)驗(yàn)室都誕生各種新的思想和創(chuàng)新點(diǎn)。隨著新點(diǎn)子的出現(xiàn)，人們也需要各
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納米測(cè)量中屏蔽罩的重要作用
電纜的不當(dāng)使用會(huì)造成測(cè)量時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題。共軸電纜提供了一個(gè)傳輸信號(hào)的內(nèi)導(dǎo)體和屏蔽。內(nèi)導(dǎo)體和屏蔽之間存在著可供漏電流流過(guò)的旁路電阻和電容通路[1]（圖4）。除了作為漏電流的通路之外，旁路的R和C還
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溫度對(duì)納米測(cè)量的影響是什么？
熱電壓或者EMF是低電壓測(cè)量[1]中最常見(jiàn)的誤差源。如圖5所示，當(dāng)電路的不同部分處于不同的溫度時(shí)，以及由不同材料構(gòu)成的導(dǎo)體連接到一起時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生這些電壓。表中列出了各種材料相對(duì)于銅的See beck[2]系
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納米測(cè)量該注意的誤差
對(duì)納米元器件的電測(cè)量——電壓、電阻和電流——都帶來(lái)了一些特有的困難，而且本身容易產(chǎn)生誤差。研發(fā)涉及量子水平上的材料與元器件，這也給人們的電學(xué)測(cè)量工作帶來(lái)了種種限制。
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納米測(cè)量的基本原理
對(duì)納米元器件的電測(cè)量——電壓、電阻和電流——都帶來(lái)了一些特有的困難，而且本身容易產(chǎn)生誤差。研發(fā)涉及量子水平上的材料與元器件，這也給人們的電學(xué)測(cè)量工作帶來(lái)了種種限制。在任
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納米測(cè)量的電流誤差來(lái)源
要測(cè)量弱電流，就必須理解各種潛在的誤差源，這些誤差會(huì)造成人們所不希望出現(xiàn)的測(cè)量誤差。影響多種類型的納米電子器件的測(cè)量結(jié)果的兩種極為常見(jiàn)的誤差源是摩擦生電效應(yīng)和電化學(xué)效應(yīng)(圖1)。
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