除去負(fù)責(zé)芯片蝕刻工藝開發(fā)的人與實(shí)施蝕刻工藝的代工廠,英特爾還將面對(duì)的最困難問題是什么?
據(jù)臺(tái)媒透露,有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu),臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管(MBCFET)架構(gòu),研發(fā)進(jìn)度超前。根據(jù)臺(tái)積電近年來整個(gè)先進(jìn)制程的布局,業(yè)界估計(jì),臺(tái)積電2nm將在2023下半年推出,有助于其未來持續(xù)拿下蘋果、輝達(dá)等大廠先進(jìn)制程大單,狠甩三星。