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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略性資源與未來(lái)之星
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力，正日益成為各國(guó)戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。這一產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展離不開戰(zhàn)略性資源的支持，同時(shí)也孕育出一批具有高增長(zhǎng)潛力的未來(lái)之星企業(yè)。
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8月1日起！中國(guó)正式限制鎵、鍺等芯片關(guān)鍵材料出口
8月1日消息，根據(jù)商務(wù)部、海關(guān)總署此前發(fā)布的《關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告》，8月1日起，對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。
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臺(tái)積電回應(yīng)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵材料出口管制
此前商務(wù)部宣布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，鎵和鍺均為半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵性原材料，因此該管制措施引起業(yè)內(nèi)關(guān)注，近日臺(tái)積電對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。
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功率半導(dǎo)體：鍺和 SiGe 可能獲得另一次機(jī)會(huì)
有時(shí)，一項(xiàng)引發(fā)根本性或戲劇性進(jìn)步的技術(shù)或技術(shù)很快就會(huì)被最初創(chuàng)新的變化或改進(jìn)所取代，鍺基晶體管就是一個(gè)很好的例子。75 年前的 1947 年，當(dāng)約翰·巴丁 (John Bardeen)、沃爾特·布拉頓 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Schockley) 開發(fā)并展示了第一個(gè)晶體管(一種點(diǎn)接觸器件)時(shí)，固態(tài)和現(xiàn)代電子時(shí)代誕生了。他們的晶體管使用摻雜的鍺，金箔觸點(diǎn)用小彈簧推到表面。
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新器件橫空出世，可將電池壽命延長(zhǎng)一百倍
通常由硅或鍺制成的半導(dǎo)體二極管和放大器是現(xiàn)代電子器件的關(guān)鍵所在，二極管通常只在一個(gè)偏置方向上通過器件傳導(dǎo)電流和電壓，但是當(dāng)電壓反轉(zhuǎn)時(shí)，電流會(huì)停止，這種開關(guān)過程會(huì)耗費(fèi)大量能量，從而影響電池壽命。電子產(chǎn)品
