一直以來,MOSFET都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
功率MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對功率MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
小到選N型還是P型、封裝類型,大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等,不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化,工程師在選擇MOS管時,一定要依據(jù)電路設(shè)計需求及MOS管工作場所來選取合適的MOS管,從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計體驗。
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線)
汽車電子模塊要求采取反向電池保護(hù)措施,以避免不良電池操作可能導(dǎo)致的損壞風(fēng)險。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件,因為它們具有很低的前向壓降性能。雖然肖特基二極管能