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靜態(tài)時(shí)序分析（STA）和門(mén)級(jí)仿真（Gate-level?Simulation，GLS）有什么區(qū)別？
門(mén)級(jí)仿真:1、門(mén)級(jí)仿真無(wú)法測(cè)試所有的場(chǎng)景，因?yàn)樗蕾?lài)于輸入的測(cè)試向量。2、進(jìn)行精確時(shí)序的仿真速度很慢，而且需要大量的服務(wù)器內(nèi)存。3、適合檢查不同時(shí)鐘域之間的異步接口。4、需要大量的計(jì)算資源（CPU時(shí)間、磁盤(pán)空間等）。5、能夠可以幫助驗(yàn)證綜合過(guò)程中設(shè)置的時(shí)序約束，如falsepat...
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Synopsys宣布完成對(duì)Extreme DA的收購(gòu)
新思科技有限公司宣布，該公司已經(jīng)完成了對(duì) Extreme DA 的收購(gòu)。Extreme DA 是一家總部位于加州圣克拉拉的非上市公司，為改進(jìn)集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)性能、耗電量和制造良率開(kāi)發(fā)相關(guān)軟件。此次收購(gòu)?fù)高^(guò)增添能夠加快 Syno
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Synopsys宣布完成對(duì)Extreme DA的收購(gòu)
Synopsys, Inc.(新思科技有限公司)宣布，該公司已經(jīng)完成了對(duì) Extreme DA 的收購(gòu)。Extreme DA 是一家總部位于加州圣克拉拉的非上市公司，為改進(jìn)集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)性能、耗電量和制造良率開(kāi)發(fā)相關(guān)軟件。此次收購(gòu)?fù)高^(guò)增
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時(shí)序分析
摘要：本文在簡(jiǎn)要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時(shí)序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對(duì)已通過(guò)物理驗(yàn)證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時(shí)序分析
摘要：本文在簡(jiǎn)要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時(shí)序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對(duì)已通過(guò)物理驗(yàn)證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
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FFT處理器寄生參數(shù)提取和靜態(tài)時(shí)序分析
摘要：本文在簡(jiǎn)要介紹寄生參數(shù)提取工具Star-RCXT和靜態(tài)時(shí)序分析工具PrimeTime的基礎(chǔ)上,對(duì)已通過(guò)物理驗(yàn)證工具Calibre DRC和LVS的FFT處理器版圖用Star-RCXT工具進(jìn)行了基于CCI的寄生參數(shù)提取,得到內(nèi)部互連網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)寄生
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手機(jī)數(shù)字基帶處理芯片中的靜態(tài)時(shí)序分析
1.引言 隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字電路的規(guī)模已經(jīng)發(fā)展到上百萬(wàn)門(mén)甚至上千萬(wàn)門(mén)。工藝也從幾十μm提高到65nm甚至45nm。這樣的電路規(guī)模做驗(yàn)證的時(shí)間在整個(gè)芯片的開(kāi)發(fā)周期所占的比例會(huì)越來(lái)越重。通常，在做驗(yàn)證的時(shí)
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手機(jī)數(shù)字基帶處理芯片中的靜態(tài)時(shí)序分析
1.引言 隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字電路的規(guī)模已經(jīng)發(fā)展到上百萬(wàn)門(mén)甚至上千萬(wàn)門(mén)。工藝也從幾十μm提高到65nm甚至45nm。這樣的電路規(guī)模做驗(yàn)證的時(shí)間在整個(gè)芯片的開(kāi)發(fā)周期所占的比例會(huì)越來(lái)越重。通常，在做驗(yàn)證的時(shí)
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統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析(SSTA)的發(fā)展與前景解析
自從DAC 2005以來(lái)，人們一直在討論采用統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析(SSTA)工具來(lái)驗(yàn)證目前和將來(lái)一代用90nm及其以下工藝制造的設(shè)計(jì)。既然要在最先進(jìn)的工藝和設(shè)計(jì)中把物理效應(yīng)及復(fù)雜性結(jié)合起來(lái)，時(shí)序驗(yàn)證就要求在制造過(guò)程中解決裸
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