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三大類常見存儲(chǔ)器在性能與應(yīng)用不同之處的分析？
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中常見的存儲(chǔ)器可以分為三大類：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和閃存。本文將對(duì)這三大類常見存儲(chǔ)器的性能與應(yīng)用進(jìn)行分析，探討它們的不同之處。
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一種超低功耗、容錯(cuò)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)
摘要：為了減輕輻射環(huán)境中靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)受單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)的影響以及解決低功耗和穩(wěn)定性的問(wèn)題，采用TSMC 90 nm工藝，設(shè)計(jì)了一款可應(yīng)用于輻射環(huán)境中的超低功耗容錯(cuò)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。該SRAM基于雙互鎖存儲(chǔ)單元(
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4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Cypress）
賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress）于近日推出了一款4-Mbit非易失性靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（nvSRAM）產(chǎn)品。
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