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淺談3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度也相對(duì)緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片
據(jù)悉，臺(tái)灣代工廠聯(lián)電(UMC)計(jì)劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺(tái)灣力成
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