CoolGaN

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  • 使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換

    英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)非凡創(chuàng)新，特別是在實(shí)現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。

    電源
    2024-12-22
    GaN HEMT CoolGaN

  • 英飛凌實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)突破——單片高壓CoolGaN BDS大幅簡化雙向開關(guān)設(shè)計(jì)GaN

    受到低碳可持續(xù)發(fā)展和AI兩大需求方向推動(dòng)，全球功率半導(dǎo)體市場正在飛速增長，預(yù)計(jì)到2026年將達(dá)到262億美元市場規(guī)模。傳統(tǒng)的硅基設(shè)備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應(yīng)用中會有所增長，但在其他市場正逐步被寬帶隙（WBG）技術(shù)產(chǎn)品所取代。氮化鎵（GaN）預(yù)計(jì)會快速增長，目前主要應(yīng)用在消費(fèi)電子領(lǐng)域，但將逐步進(jìn)入工業(yè)和汽車領(lǐng)域。碳化硅（SiC）則將繼續(xù)在高功率汽車和工業(yè)應(yīng)用中保持增長并擴(kuò)大滲透率。具體市場估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高電子遷移率晶體管），包括分立器件和集成器件，市場規(guī)模約為10億美元；SiC MOSFETs和二極管，包括分立器件和模塊，市場規(guī)模約為30億美元。

  • 新型電源解決方案CoolGaN解析

    電子器件向著小型化方向發(fā)展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設(shè)計(jì)過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運(yùn)行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動(dòng)速度最高可快10倍。

  • 新的電源轉(zhuǎn)換標(biāo)桿：英飛凌CoolGaN可圈可點(diǎn)

    未來十年，基于氮化鎵的器件市場總值有望超過10億美元，從市場的分布來說，電源類產(chǎn)品大概占到整個(gè)市場的40%左右。在汽車類的應(yīng)用可能起步得比較晚，但是它的成長非?？?，未來汽車關(guān)于氮化鎵的應(yīng)用是一個(gè)非常大的應(yīng)用。