為增進(jìn)大家對(duì)內(nèi)存的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)DDR2內(nèi)存采用的技術(shù)以及DDR2內(nèi)存和DDR內(nèi)存的區(qū)別予以介紹。
差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì),但大家對(duì)CK#(CKN)的作用認(rèn)識(shí)很少,很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘,其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示,在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的,而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)
FPGA豐富的邏輯資源、充沛的I/O引腳以及較低的功耗,被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)和高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域?,F(xiàn)如今,各大FPGA生產(chǎn)廠商為方便用戶的設(shè)計(jì)和使用,提供了較多的、可利用的IP核資源,極大地減少了產(chǎn)品的開發(fā)周期和
現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展,電路的復(fù)雜度、元器件布局以及布線密度、開關(guān)速度、時(shí)鐘和總線頻率等各項(xiàng)指標(biāo)參數(shù)都呈快速上升趨勢(shì)。當(dāng)上升時(shí)間超過傳輸延時(shí)的1/
2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認(rèn)為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。DDR2