在DDR4出現(xiàn)十年之后,DDR5翩翩來遲。作為十年之久的換代,DDR5的設(shè)計上實(shí)現(xiàn)了諸多突破:新的通道設(shè)計、片內(nèi)ECC、片上PMIC、更多溫度傳感器乃至插槽缺口的位移等。新的設(shè)計規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn),讓內(nèi)存容量、帶寬和傳輸速率得以大幅提升,但同時新的標(biāo)準(zhǔn)使得內(nèi)存條的設(shè)計復(fù)雜度增加。
下一代服務(wù)器內(nèi)存展望
DR5 RDIMMs 作為內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)品牌,美光在設(shè)計、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有 40 多年的專業(yè)積淀。美光的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品組合采用了比以往更
DDR5 RDIMMs賦能下一代服務(wù)器平臺,應(yīng)對云、企業(yè)端、高性能計算和人工智能應(yīng)用環(huán)境中的激增數(shù)據(jù)
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。