-
STM32單片機讀寫外部FLASH操作說明
STM32單片機作為一種高性能、低功耗的嵌入式微控制器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實際應(yīng)用中，為了擴展存儲空間或?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的持久化存儲，經(jīng)常需要使用外部FLASH存儲器。本文將詳細介紹STM32單片機如何讀寫外部FLASH存儲器。
-
多次讀取Flash/EEPROM：對壽命的影響及深入解析
在嵌入式系統(tǒng)和存儲設(shè)備領(lǐng)域，F(xiàn)lash和EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性存儲特性而被廣泛應(yīng)用。這些存儲設(shè)備能夠在斷電后保持數(shù)據(jù)，對于需要長期保存配置參數(shù)、程序代碼或用戶數(shù)據(jù)的應(yīng)用來說至關(guān)重要。然而，關(guān)于多次讀取這些存儲器是否會影響其壽命的問題，一直困擾著許多開發(fā)者。本文將深入探討多次讀取Flash/EEPROM對壽命的影響，以及背后的技術(shù)原理。
-
單片機系統(tǒng)中Flash存儲器的擴展
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，單片機（MCU）作為核心控制單元，其性能與存儲容量直接影響整個系統(tǒng)的功能與可靠性。隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、工業(yè)自動化等領(lǐng)域的快速發(fā)展，單片機系統(tǒng)需要存儲越來越多的數(shù)據(jù)、程序代碼和日志文件，而內(nèi)置的Flash存儲器往往難以滿足這種增長的需求。因此，擴展Flash存儲器成為提升單片機系統(tǒng)性能的關(guān)鍵措施之一。
-
嵌入式系統(tǒng)中程序代碼的運行位置：FLASH與RAM的抉擇
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，程序代碼的運行位置是一個至關(guān)重要的問題。傳統(tǒng)的觀念認為，程序代碼必須從FLASH存儲器搬到RAM中運行，以提高執(zhí)行速度和效率。然而，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，這一觀念正在受到挑戰(zhàn)。本文將深入探討嵌入式系統(tǒng)中程序代碼的運行位置問題，分析FLASH與RAM的優(yōu)缺點，以及在不同應(yīng)用場景下的選擇策略。
-
嵌入式系統(tǒng)中的程序代碼運行位置問題及選擇策略
嵌入式系統(tǒng)中的程序代碼運行位置問題，主要涉及到程序代碼是存儲在FLASH中直接運行，還是需要被復(fù)制到RAM中運行。這個問題涉及到多個方面的考量，包括系統(tǒng)性能、成本、功耗以及可靠性等。以下是對這一問題的詳細分析：
-
乾瞻科技領(lǐng)跑業(yè)界 成功完成矽驗證ONFI PHY IP 5500 MT/s
前瞻布局下一代存儲市場 臺北2024年10月28日 /美通社/ -- 神盾集團旗下IP公司—乾瞻科技，宣布其基于JESD 230G規(guī)范設(shè)計的ONFI 5500 MT/s IP，已成功通過N6/N7矽驗證。該ONFI IP解決方案涵蓋完整的I/O、PHY及PLL設(shè)計，在高速存儲應(yīng)...
-
新興存儲器MRAM與ReRAM在嵌入式市場的崛起
隨著科技的飛速發(fā)展，尤其是物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、人工智能等領(lǐng)域的蓬勃興起，對存儲技術(shù)的需求日益增長。傳統(tǒng)的存儲器如DRAM和Flash雖已占據(jù)市場主流，但其在性能、功耗、耐久性和可靠性等方面已逐漸接近物理極限。因此，新興存儲器技術(shù)如磁阻隨機存取存儲器(MRAM)和電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)開始嶄露頭角，特別是在嵌入式市場中展現(xiàn)出巨大的潛力。
-
江波龍FORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進制程工藝迎接WiFi7時代
深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 隨著消費者對電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長，市場上對元器件的選擇標準也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中，NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲和處理速度上的核心作用，成為了廠商們尤為重視的焦點。在這一背景下，NAND Flash不僅需要滿足基...
-
Flash型FPGA的階梯式配置方法探索
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)因其高度的靈活性和可重配置性，在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。其中，F(xiàn)lash型FPGA以其獨特的數(shù)據(jù)存儲方式，在保持高集成度的同時，提供了更為穩(wěn)定的性能。然而，F(xiàn)lash型FPGA的配置問題一直是研究和應(yīng)用的難點。本文將詳細介紹一種用于Flash型FPGA的階梯式配置方法，旨在解決傳統(tǒng)配置方法中的不足，提高FPGA的性能和穩(wěn)定性。
-
提高Xilinx FPGA Flash下載速度：技術(shù)探索與實踐
在FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）的應(yīng)用中，F(xiàn)lash下載速度是一個關(guān)鍵的性能指標。特別是在需要頻繁更新FPGA配置或進行大量數(shù)據(jù)傳輸?shù)膱鼍跋?，提高Flash下載速度顯得尤為重要。Xilinx作為全球領(lǐng)先的FPGA供應(yīng)商，其FPGA產(chǎn)品在各個行業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用。本文將圍繞Xilinx FPGA的Flash下載速度提升，探討相關(guān)的技術(shù)方法、實踐經(jīng)驗和優(yōu)化策略。
-
一種運行于全雙工模式下的同步串行數(shù)據(jù)SPI總線鏈路介紹
在討論SPI 數(shù)據(jù)傳輸時,必須明確以下兩位的特點及功能:(1) CPOL: 時鐘極性控制位。
-
Teledyne e2v擴展適用于三維激光三角測量應(yīng)用的Flash系列CMOS圖像傳感器
西班牙塞維利亞，2024年3月12日 — Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙伊姆弗勒角度(LSA)的激光輪廓應(yīng)用。
-
JTAG接口與Flash的設(shè)計實現(xiàn)，有那些方法？
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞪TAG接口與Flash的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
-
支持超200億臺電子設(shè)備的啟動，兆易創(chuàng)新完成Flash全類應(yīng)用布局，探索未來閃存技術(shù)趨勢
近日，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會在深圳召開，兆易創(chuàng)新Flash事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜在會上發(fā)布了主題為“持續(xù)開拓，兆易新一代存儲產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”的演講。
-
Flash存儲器的基本原理是什么？有什么作用？
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，存儲器的需求日益增長。Flash存儲器作為一種非易失性存儲器，具有重要的應(yīng)用價值和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文將詳細介紹Flash存儲器的基本原理、工作方式和作用，幫助讀者更好地了解這一重要的存儲器技術(shù)。
-
如何使用flash存儲器？如何寫入數(shù)據(jù)？
隨著信息時代的到來，數(shù)據(jù)存儲成為了一項基本需求。Flash存儲器成為了一種常見的存儲設(shè)備，用于存儲各種類型的數(shù)據(jù)，如文檔、圖片、視頻等。本文將詳細介紹如何使用Flash存儲器以及如何寫入數(shù)據(jù)，幫助讀者了解Flash存儲器的操作方法和注意事項。
-
flash存儲器的編程設(shè)計及解決方案有哪些？
隨著科技的不斷發(fā)展，F(xiàn)lash存儲器已經(jīng)成為存儲設(shè)備中最常用的一種類型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速讀寫等特點，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如移動設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和存儲芯片等。本文將介紹Flash存儲器的編程設(shè)計以及一些常見的解決方案，以幫助讀者更好地理解Flash存儲器的工作原理和應(yīng)用。
-
江波龍上海總部項目封頂，預(yù)計2024年底前交付使用
（全球TMT2023年7月28日訊）2023年7月28日，江波龍上?？偛宽椖糠忭攦x式在中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)舉行。江波龍上?？偛课挥谂R港新片區(qū)滴水湖科創(chuàng)總部灣核心區(qū)，項目于2021年啟動建設(shè)，占地面積約14畝，總建筑面積約4.3萬平方米，可容納超過800名研發(fā)人員...
-
中國剛批準，美國芯片廠商就 “反悔”！
昨天下午，中國市場監(jiān)管總局附加限制性條件批準了美國半導(dǎo)體公司邁凌(MaxLinear)對全球最大 NAND Flash 控制芯片供應(yīng)商慧榮科技(SMI)的收購。
-
flash存儲器具有的特點主要能起到什么作用？
Flash存儲器，也稱為閃存存儲器，是一種非易失性存儲器(Non-Volatile Memory，NVM)，用于在設(shè)備斷電后仍然能夠保持存儲的數(shù)據(jù)。它的名稱來源于一種稱為“閃存技術(shù)”的特殊電子存儲技術(shù)。Flash存儲器的基本工作原理是通過多層存儲單元的電荷累積和流動來存儲和擦除數(shù)據(jù)。每個存儲單元由一個FET(場效應(yīng)晶體管)和一個電荷貯存器組成，電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài)，通常是0和1。當需要修改某個存儲單元的值時，F(xiàn)lash存儲器可以通過向其中注入或者釋放電荷來改變其電荷狀態(tài)。
