美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸,GAA(環(huán)繞柵極)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應晶體管)?
2022年6月30日,三星旗下的三星電子早上發(fā)布消息,該公司已經開始3nm芯片的大批量生產。三星電子宣告,公司名為“3GAE”的3nm環(huán)繞式閘極制程技術進展順利,并于今年的4月份推出該0.1版制程套件(PDK)。三星現在正在其3nm制程節(jié)點上導入GAA架構,專門用來克服FinFET架構的實體微縮和性能限制。
日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇(SFF)2018年會,更新了技術路線圖。簡單來說,主要有三點,一是基于EUV技術的7nm制程工藝會在接下來幾個季度內大規(guī)模量產(初期EUV僅用于選擇層),二是導