三星公布最新技術(shù)路線圖:7nm 規(guī)模量產(chǎn)、導(dǎo)入8nm LPU、引入GAAFET
日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇(SFF)2018年會,更新了技術(shù)路線圖。簡單來說,主要有三點,一是基于EUV技術(shù)的7nm制程工藝會在接下來幾個季度內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)(初期EUV僅用于選擇層),二是導(dǎo)入8nm LPU工藝,三是重申,圍繞3nm節(jié)點,將引入閘極全環(huán)場效晶體管(Gate-all-aroundFET,GAAFET),來取代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)。
三星晶圓廠分布
關(guān)于第一點,三星稱已經(jīng)在韓國華城的S3工廠配置了多臺ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機,投資6萬億韓元的新EUV產(chǎn)線預(yù)計2019年竣工,2020年擴大生產(chǎn)規(guī)模。
目前,官宣采用三星7nm LPP工藝的是高通驍龍5G SoC。
關(guān)于第二點,8nm LPU(low power ultimate)是8nm LPP的改良版,后者比10nm LPP減少10%的芯片面積和10%的功耗,看起來LPU將進一步在功耗、面積上做文章。
由于三星7nm LPP補充產(chǎn)能需要等到2020年,此間就是8nm在市場大展拳腳的契機。按照ZDNet的說法,高通也是三星8nm的客戶。
至于第三點,三星將FinFET技術(shù)的極限發(fā)揮到5nm LPE和4nm LPP,計劃2019年風(fēng)險試產(chǎn)。不過到了3nm時代,芯片越做越小,電流信道寬度不斷變窄,難以控制電流方向,三星提出了GAAFET方案,定于2020年早些時候試產(chǎn)。
另外,三星還表示,2019年,單芯片封裝技術(shù)3D SiP將準(zhǔn)備就緒。