工信部發(fā)文，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)又一次重大升級(jí)！

近日，工信部發(fā)布了《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》（以下簡(jiǎn)稱《指導(dǎo)目錄》），其中在“集成電路生產(chǎn)裝備”一欄，有兩款國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)尤為引人關(guān)注。

一款是光源波長(zhǎng)248nm、套刻精度小于25nm的氟化氪光刻機(jī)；另一款是光源波長(zhǎng)193nm、套刻精度小于8nm的氟化氬光刻機(jī)。

對(duì)此，不少網(wǎng)友誤認(rèn)為“后者可以用于8nm芯片的制造”。

（圖片來(lái)源：工信部）

其實(shí)，這樣理解是錯(cuò)誤的。所謂套刻精度小于8nm，指的是前后兩道光刻工序之間的圖形對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到了8nm以下，即誤差小于8nm。

而《指導(dǎo)目錄》中更為先進(jìn)的氟化氬光刻機(jī)，實(shí)際制程約為55nm，技術(shù)水平相當(dāng)于ASML于2015年出貨的TWINSCAN XT 1460K光刻機(jī)。

要知道，ASML今年最新發(fā)布的極紫外光刻機(jī)，可是將制造工藝推向了2nm以下。與之相比，我們?cè)诠饪虣C(jī)領(lǐng)域仍然落后ASML將近15-20年。

（圖片來(lái)源：ASML官網(wǎng)）

盡管此次工信部推廣的國(guó)產(chǎn)氟化氬光刻機(jī)并不是最先進(jìn)技術(shù)，但它的意義依然重大。

首先，從核心技術(shù)指標(biāo)來(lái)看，這款氟化氬光刻機(jī)與我們此前最先進(jìn)的國(guó)產(chǎn)設(shè)備（上海微電子的90nm光刻機(jī)）相比，實(shí)現(xiàn)了重大技術(shù)突破。

該公告雖未提及具體供應(yīng)商，但包括氧化爐、干法刻蝕機(jī)等設(shè)備在內(nèi)的多個(gè)國(guó)產(chǎn)芯片制造設(shè)備已被推薦使用。這不僅標(biāo)志著中國(guó)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁出了重要一步，更是在全球芯片產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的背景下，為中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展注入了一劑強(qiáng)心針。

其次，此次光刻機(jī)進(jìn)入《指導(dǎo)目錄》，也意味著國(guó)產(chǎn)鏈條已完全打通，關(guān)鍵領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代步伐將越走越快，這對(duì)于推動(dòng)中國(guó)科技自立自強(qiáng)、提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力具有重要意義！

除了光刻機(jī)，《指導(dǎo)目錄》中還有多類集成電路生產(chǎn)裝備，包括硅外延爐、濕法清洗機(jī)、氧化爐、涂膠顯影機(jī)、高能離子注入機(jī)、低能離子注入機(jī)、等離子干法刻蝕機(jī)、特種金屬膜層刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積裝備、物理氣相沉積裝備、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、激光退火裝備、光學(xué)線寬量測(cè)裝備等。

感興趣的小伙伴，可以進(jìn)入工信部官方號(hào)進(jìn)行查看。