工信部發(fā)文，國產(chǎn)光刻機又一次重大升級！

近日，工信部發(fā)布了《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》（以下簡稱《指導(dǎo)目錄》），其中在“集成電路生產(chǎn)裝備”一欄，有兩款國產(chǎn)光刻機尤為引人關(guān)注。

一款是光源波長248nm、套刻精度小于25nm的氟化氪光刻機；另一款是光源波長193nm、套刻精度小于8nm的氟化氬光刻機。

對此，不少網(wǎng)友誤認為“后者可以用于8nm芯片的制造”。

（圖片來源：工信部）

其實，這樣理解是錯誤的。所謂套刻精度小于8nm，指的是前后兩道光刻工序之間的圖形對準精度達到了8nm以下，即誤差小于8nm。

而《指導(dǎo)目錄》中更為先進的氟化氬光刻機，實際制程約為55nm，技術(shù)水平相當(dāng)于ASML于2015年出貨的TWINSCAN XT 1460K光刻機。

要知道，ASML今年最新發(fā)布的極紫外光刻機，可是將制造工藝推向了2nm以下。與之相比，我們在光刻機領(lǐng)域仍然落后ASML將近15-20年。

（圖片來源：ASML官網(wǎng)）

盡管此次工信部推廣的國產(chǎn)氟化氬光刻機并不是最先進技術(shù)，但它的意義依然重大。

首先，從核心技術(shù)指標(biāo)來看，這款氟化氬光刻機與我們此前最先進的國產(chǎn)設(shè)備（上海微電子的90nm光刻機）相比，實現(xiàn)了重大技術(shù)突破。

該公告雖未提及具體供應(yīng)商，但包括氧化爐、干法刻蝕機等設(shè)備在內(nèi)的多個國產(chǎn)芯片制造設(shè)備已被推薦使用。這不僅標(biāo)志著中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁出了重要一步，更是在全球芯片產(chǎn)業(yè)競爭激烈的背景下，為中國芯片產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展注入了一劑強心針。

其次，此次光刻機進入《指導(dǎo)目錄》，也意味著國產(chǎn)鏈條已完全打通，關(guān)鍵領(lǐng)域的國產(chǎn)替代步伐將越走越快，這對于推動中國科技自立自強、提升產(chǎn)業(yè)競爭力具有重要意義！

除了光刻機，《指導(dǎo)目錄》中還有多類集成電路生產(chǎn)裝備，包括硅外延爐、濕法清洗機、氧化爐、涂膠顯影機、高能離子注入機、低能離子注入機、等離子干法刻蝕機、特種金屬膜層刻蝕機、化學(xué)氣相沉積裝備、物理氣相沉積裝備、化學(xué)機械拋光機、激光退火裝備、光學(xué)線寬量測裝備等。

感興趣的小伙伴，可以進入工信部官方號進行查看。