-
美光：GDDR6顯存速度最高可達20Gb/s 下代顯卡將使用
美光在最新的一份研究報告中表示自家的GDDR6顯存最高可以達到20Gb/s，這主要得益于美光出色的技術(shù)以及不斷改良的I/O通道，而根據(jù)內(nèi)存組織JEDEC所提供的推薦標(biāo)準(zhǔn)，GDDR6顯存只要達到14Gb/s就屬于合格，之前美光的GDDR6顯存最高可以達到16.5Gb/s，當(dāng)然和加電壓版本的超頻版不同的是，節(jié)能版GDDR6顯存最高則為16GB/s。
-
美光科技攜手多家公司打造全面 GDDR6 解決方案
領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲供應(yīng)商美光科技有限公司(納斯達克股票代碼：MU)近日宣布將與 Rambus Inc.、Northwest Logic 和 Avery Design 合作，為當(dāng)今世上最快的離散存儲GDDR6推出全面的解決方案。這款史無前例的解決方案將讓 GDDR6 能夠應(yīng)用于高級應(yīng)用，例如高性能網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛車輛、人工智能和 5G 基礎(chǔ)設(shè)施。
-
三星量產(chǎn)18GHz 16Gb GDDR6顯存芯片
三星電子近日宣布，開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款16Gb(2GB)容量的GDDR6顯存芯片。參數(shù)方面，三星表示，GDDR6的單芯片容量是上一代20nm GDDR5的兩倍、速度也是兩倍。
-
美光宣布GDDR6顯存完工!16nm工藝、速度14GHz
今晨，美光在官方博客發(fā)布技術(shù)文章，表示GDDR6顯存已經(jīng)完成所有的設(shè)計工作并通過了內(nèi)部驗證，首發(fā)的分別是針腳帶寬12Gbps和14Gbps的芯片。
-
終于等到你：美光GDDR6顯存規(guī)格敲定
業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年，當(dāng)時的說法是2014年就將啟動標(biāo)準(zhǔn)制定，但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X，也不見GDDR6的蹤影。據(jù)外媒報道，繼三星之后，美光也談及了自己未來的存儲規(guī)劃，其中就涉及GDDR6顯存。美光計劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進到1Xnm，預(yù)計是16nm。同時，他們表示G5X顯存的需求將迎來增長，考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用，不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會采用。
-
16Gbps！下代顯卡存儲器GDDR6零八年問世
三星公開討論了后GDDR5時代的顯卡存儲器標(biāo)準(zhǔn)，提出新一代顯卡存儲器速率在14-16Gbps，電壓1.35V，簡單來說就是在保持時鐘頻率1.75GHz的情況下，將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。
