垂直GAN晶體管技術(shù)發(fā)展的進(jìn)步
使用雙向 GaN 開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換
通過(guò)自動(dòng)動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)測(cè)試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
雙向GaN功率IC有何用途?
提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時(shí)間
集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過(guò)壓穩(wěn)定性
我們能獲得更好的音頻放大器嗎?是的,用氮化鎵!
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
氮化鎵功率技術(shù)大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
FPGA EP4CE115F29I7N燒寫(xiě)問(wèn)題
預(yù)算:¥30000需要制作一個(gè)時(shí)間控制繼電器開(kāi)關(guān)的程序
預(yù)算:¥10004G通訊控制報(bào)警電路板開(kāi)發(fā),要求一個(gè)月內(nèi)交付合格產(chǎn)品
預(yù)算:¥4000基于STM32的SPI接口,實(shí)現(xiàn)wifi無(wú)線傳輸
預(yù)算:¥12000