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MOSFET和JFET在性能特點上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET的了解，和小編一起來看看吧。
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用離散的JFET在低噪聲電路中放大小信號
在低噪聲電路中放大傳感器產(chǎn)生的小信號是一個非常普遍但困難的問題。設(shè)計者通常會使用帶有雙極輸入的運算放大器來實現(xiàn)這種放大,因為他們固有的低閃爍(1/F)和寬帶噪聲。雙極OP安培提出了另一個挑戰(zhàn),當(dāng)小信號感興趣是產(chǎn)生的傳感器的高源阻抗,不能提供足夠的電流到放大器的輸入。雙極OPS電流在納米安培范圍或更大范圍內(nèi)具有較高的輸入偏置電流,相對于它們的離子和結(jié)場效應(yīng)晶體管(JFET)的輸入阻抗較低。
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場效應(yīng)管工作原理詳解
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)是一種重要的半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導(dǎo)電溝道中載流子(電子或空穴)的控制，以此來改變通道中的電流大小。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和工作機理的不同，場效應(yīng)管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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正確選擇低噪聲放大器(LNA)
目前，有關(guān)低噪聲放大器的討論常常關(guān)注于RF/無線應(yīng)用，但實際應(yīng)用中，噪聲對于低頻模擬產(chǎn)品(如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器緩沖、應(yīng)變儀信號放大和麥克風(fēng)前置放大器)也有很大影響，是一項重要
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來
