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恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電推出行業(yè)首創(chuàng)汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM
荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI)近日宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM(磁隨機(jī)存儲(chǔ)器)。在向軟件定義汽車(SDV)的過(guò)渡中，汽車廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件升級(jí)。利用16納米FinFET技術(shù)將恩智浦的高性能S32汽車處理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存儲(chǔ)器MRAM相結(jié)合，為向軟件定義汽車演進(jìn)打造理想的硬件平臺(tái)。
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新一代存儲(chǔ)器發(fā)威 MRAM開啟了下一波儲(chǔ)存浪潮
目前有數(shù)家芯片制造商，正致力于開發(fā)名為STT-MRAM的新一代存儲(chǔ)器技術(shù)，然而這項(xiàng)技術(shù)仍存在其制造和測(cè)試等面向存在著諸多挑戰(zhàn)。STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中，結(jié)合數(shù)種
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群聯(lián)宣布與Everspin合作 新一代企業(yè)級(jí)SSD主控將整合MRAM內(nèi)存
企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用近年來(lái)逐漸大量采用SSD，特別是TLC、QLC閃存正在迅速普及，它們帶來(lái)了更大的容量、更低的成本，但是性能、可靠性也是不斷下降的，如何通過(guò)整合各種新興內(nèi)存技術(shù)來(lái)提升現(xiàn)行主流SSD的性能及
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新型存儲(chǔ)器大規(guī)模量產(chǎn)在即，一臺(tái)Endura系統(tǒng)搞定30層原子薄膜沉積
摩爾定律已經(jīng)趨緩，現(xiàn)在的增長(zhǎng)每年只有幾個(gè)百分點(diǎn)，所以芯片計(jì)算系統(tǒng)的性能也不再能延續(xù)過(guò)去30多年內(nèi)的高速增長(zhǎng)。工藝節(jié)點(diǎn)的突破之外，還可以在整體計(jì)算架構(gòu)上來(lái)想辦法。很多新的概念被提了出來(lái)，其中有一種思路就是提高存儲(chǔ)器與計(jì)算芯片之間的數(shù)據(jù)交換效率，甚至做到存儲(chǔ)內(nèi)計(jì)算芯片--即存算一體化。
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重大突破！清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)突破 MRAM 技術(shù)瓶頸
臺(tái)灣科技部在14日發(fā)表由清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出的最新磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)，稱對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將有決定性的影響力。
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改變半導(dǎo)體格局，三星開始大規(guī)模生產(chǎn)MRAM
三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。
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全新存儲(chǔ)技術(shù)！Intel MRAM已可量產(chǎn)：200℃高溫能用10年
多年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)格局一直是DRAM內(nèi)存＋HDD機(jī)械硬盤/SSD固態(tài)硬盤，不過(guò)各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案，比如Intel的傲騰，就致力于消弭內(nèi)存與硬盤之間的鴻溝。還有一種方案就是M
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聯(lián)電與Avalanche合作開發(fā)28nm MRAM存儲(chǔ)芯片
UMC臺(tái)聯(lián)電也給自家的28nm找到了新的領(lǐng)域，他們宣布與美國(guó)Avalanche公司合作研發(fā)28nm工藝的MRAM存儲(chǔ)芯片。
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下一代存儲(chǔ)技術(shù)都包含什么技術(shù)
也該是時(shí)候了，經(jīng)過(guò)十多年的沉潛，這些號(hào)稱次世代記憶體的產(chǎn)品，總算是找到它們可以立足的市場(chǎng)，包含F(xiàn)RAM(鐵電記憶體)，MRAM(磁阻式隨機(jī)存取記憶體)和RRAM(可變電阻式記憶體)，在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動(dòng)下，開始找到利基市場(chǎng)。
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嵌入式存儲(chǔ)器的過(guò)去與現(xiàn)在
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上
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嵌入式存儲(chǔ)器的過(guò)去與現(xiàn)在
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上
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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究
摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)
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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究
VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進(jìn)行全空間讀寫測(cè)試。另外，針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如TAVQV（地址有效到數(shù)據(jù)有效的時(shí)間）、TELQV（片選使能到數(shù)據(jù)有效的時(shí)間）、TGLQV（輸出使能到輸出數(shù)據(jù)有效的時(shí)間）等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成MRAM的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。
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STT看好MRAM的原因是啥
隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來(lái)前景。
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嵌入式存儲(chǔ)器的過(guò)去與現(xiàn)在
近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用22nm工藝。這種次世代存儲(chǔ)將能夠?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算電腦和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快和耗電更低的存儲(chǔ)效能。臺(tái)積電此舉讓嵌入式存儲(chǔ)器再度回到人們的視線中。本文將為你闡述嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生。
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從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，正在作為一種主流的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)被業(yè)界所廣泛接受。它集成了一個(gè)磁阻器件和一個(gè)硅基選擇矩陣。MRAM的關(guān)鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無(wú)限次讀寫的耐用性、快速
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