PHEMT

利用GaAs PHEMT設計MMIC LNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵?？刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過濾和低溫冷卻，但低噪聲放大器的良好性能，提供了一種被實踐所驗證的可

TriQuint推出四款砷化鎵pHEMT射頻功率放大器模塊

21ic訊 TriQuint半導體公司推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊，提供高輸出功率、增益及效率，覆蓋頻率范圍為6-38 GHz其中每款新放大器的封裝都更方便進行組裝，包括支持多層印刷電路板布局

寬帶放大器的設計方法以及仿真

分布式放大器能提供很寬的頻率范圍和較高的增益。有一段時間，其設計通常采用傳輸線作為輸入和輸出匹配電路。隨著砷化鎵(GaAs)微波單片集成電路的發(fā)展成熟，為了提高效率、輸出功率、減小噪聲系數(shù)，人們提出了很多種

利用GaAsPHEMT設計MMICLNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵?？刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過濾和低溫冷卻，但低噪聲放大器的良好性能，提供了一種被實踐所驗證的可靠的管理通信系統(tǒng)噪聲的方法。隨之而來的是

新款pHEMT增益模塊/驅(qū)動放大器（Hittite）

近日，全球知名的射頻微波MMIC廠商Hittite公司全新新發(fā)布了一個SMT封裝的pHEMT MMIC驅(qū)動放大器，滿足DC到10GHz范圍的蜂窩通信/4G，寬帶，軍事或者固定無線設備的高線性應用。HMC788LP2E是一個采用GaAs技術(shù)的pHEMT MM

RFMD擴展晶圓代工服務

RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。 RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產(chǎn)品而

增加GaAs技術(shù)　RFMD擴展晶圓代工服務

RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產(chǎn)品而最佳

寬帶放大器的設計方法以及仿真和實測

分布式放大器能提供很寬的頻率范圍和較高的增益。有一段時間，其設計通常采用傳輸線作為輸入和輸出匹配電路。隨著砷化鎵(GaAs)微波單片集成電路的發(fā)展成熟，為了提高效率、輸出功率、減小噪聲系數(shù)，人們提出了很多種

單片分布微波放大器的設計

本文將介紹寬帶放大器的設計方法以及仿真和實測的結(jié)果。

安捷倫高線性度E-pHEMT FET

安捷倫手機用E-pHEMT功放模塊銷量突破1000萬只

安捷倫每月下線的E-pHEMT功放模塊突破50萬大關(guān)

安捷倫科技新型功放模塊使手機電池使用時間延長達15%

北京-安捷倫科技（Agilent Technologies, 紐約證券交易所上市代號：A）日前宣布，推出特為下一代CDMA和GSM手機設計的新型功放(PA)模塊系列。安捷倫新型E-pHEMT (增強模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管)功放模塊為CDMA 和