英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報告》:GaN將在多個行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點(diǎn),進(jìn)一步提高能源效率
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
基于SiC的高電壓電池斷開開關(guān)的設(shè)計注意事項
首款新型TPSMB非對稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動器保護(hù)
非線性損耗建??蓽?zhǔn)確估計 SiC 轉(zhuǎn)換器性能
SiC和GaN的可靠性
電力電子熱管理的未來趨勢
TrendForce集邦咨詢: 3Q24中國電動車牽引逆變器裝機(jī)量占全球61%,歐洲積極推進(jìn)改革
英飛凌攜手Stellantis,推動下一代汽車架構(gòu)的功率轉(zhuǎn)換和分配創(chuàng)新
意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
分布式顯示卡(墨水屏電子標(biāo)簽)原型設(shè)計
預(yù)算:¥20000