日本限制韓國EUV工藝關(guān)鍵材料 三星電子領(lǐng)先地位將受威脅

近日，日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈，日本宣布氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫(Eatching Gas)三種材料出口到韓國時(shí)不再給予優(yōu)惠待遇，而且每次出貨時(shí)出口商都必須獲得許可，拿到許可大約需要90天時(shí)間。日本方面對此態(tài)度十分強(qiáng)硬，有分析人士指出，由日本獨(dú)占市場的光罩基底（Mask Blank）也有可能成為下一個(gè)犧牲品，三星電子EUV工程可能因此受沖擊。

據(jù)《韓聯(lián)社》報(bào)道，日本可能增加的限制品項(xiàng)包含集成電路（IC）、電源管理IC（PMIC）、光刻設(shè)備、離子注入機(jī)、晶圓、光罩基底等。值得注意的是，除EUV制程用的光刻膠沒有其他替代品，日本企業(yè)在晶圓、光罩基底市場中，市占率非常高。日本的動(dòng)向?qū)⒅苯佑绊懙饺请娮覧UV工藝。

目前，三星正處于和臺積電的5nm工藝爭霸的關(guān)鍵時(shí)刻，這對三星電子來說無疑是一個(gè)重大打擊。此前三星曾拿到了英偉達(dá)GPU7nm芯片的訂單，近日英偉達(dá)又出來澄清說不是三星獨(dú)家代工，而是同時(shí)使用三星及臺積電兩家的7nm工藝。

報(bào)道稱，接近三星的消息人士表示三星的部分研究計(jì)劃已經(jīng)受到了影響，三星為了確保關(guān)鍵的光刻膠供應(yīng)能夠得到保障，現(xiàn)在不得不暫時(shí)擱置與EUV光刻工藝相關(guān)的芯片研發(fā)工作。