無(wú)懼日本制裁 三星將如期展示3nm GAA工藝最新進(jìn)展

本月4日起，日本宣布管制對(duì)韓國(guó)出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料，此舉使得韓國(guó)面板、半導(dǎo)體兩大支柱行業(yè)面臨危機(jī)，三星等公司更是急于獲得穩(wěn)定的原料來(lái)源，否則旗下的存儲(chǔ)芯片、面板生產(chǎn)都會(huì)停產(chǎn)。

對(duì)三星來(lái)說(shuō)，日本管制的材料中光刻機(jī)、氟化氫影響更大，對(duì)三星的晶圓代工、存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)都有致命影響，之前甚至有傳聞稱三星因?yàn)榈貌坏焦?yīng)而停止研發(fā)7nm EUV工藝了。

不過(guò)三星似乎有意向外界證明在這場(chǎng)危機(jī)中他們有能力走出困境，宣布9月4日在日本舉行的“三星晶圓代工論壇”（SFF）將如期舉行，否認(rèn)了韓媒所說(shuō)的三星取消日本論壇會(huì)議的報(bào)道。

三星近年來(lái)加大了對(duì)晶圓代工市場(chǎng)的投入，每年都會(huì)舉行多場(chǎng)“三星晶圓代工論壇”（SFF），9月4日的這次會(huì)議是日本專場(chǎng)，這次的重點(diǎn)將是三星研發(fā)中的3nm GAA環(huán)繞柵極工藝，這是5nm節(jié)點(diǎn)之后又一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)。

基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

目前在3nm節(jié)點(diǎn)上，三星是第一個(gè)也是唯一一個(gè)公布具體技術(shù)路線的，Intel現(xiàn)在只提到7nm工藝，5nm都遙遙無(wú)期，更別說(shuō)3nm工藝，而臺(tái)積電雖然要投資250億美元建設(shè)3nm晶圓廠，不過(guò)尚未公布過(guò)3nm的技術(shù)路線，是否上GAA晶體管也是未知數(shù)。

所以在3nm節(jié)點(diǎn)上，三星自信他們會(huì)領(lǐng)先，有分析稱三星3nm GAA工藝在技術(shù)上領(lǐng)先了臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司2-3年時(shí)間，可以說(shuō)三星要在3nm節(jié)點(diǎn)上全面反超臺(tái)積電及Intel公司了。

按照規(guī)劃，三星最快在2021年就要量產(chǎn)3nm GAA工藝了，屆時(shí)Intel才會(huì)進(jìn)入7nm量產(chǎn)初始街道，臺(tái)積電會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，試產(chǎn)3nm工藝。