將ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

簡(jiǎn)介

絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計(jì)選擇的。

本應(yīng)用筆記所述設(shè)計(jì)中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場(chǎng)光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達(dá)20kHz的開關(guān)頻率，以及由于對(duì)稱設(shè)計(jì)，具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管。選定IGBT模塊的高集成度可在高頻率下提供最優(yōu)性能，并具有較低的結(jié)至外殼熱阻。

使用ADI公司的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)驅(qū)動(dòng)IGBT。ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是一款單通道器件，在>25V的工作電壓下(VDD至VSS)，典型驅(qū)動(dòng)能力為7A源電流和灌電流。該器件具有最小100kV/μs的共模瞬變抗擾度(CMTI)。ADuM4135可以提供高達(dá)30V的正向電源，因此，±15V電源足以滿足此應(yīng)用。

圖1.ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器模塊

測(cè)試設(shè)置

電氣設(shè)置

系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置如圖2所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900μF(C1)的解耦電容添加到輸入級(jí)。輸出級(jí)為200μH(L1)和50μF(C2)的電感電容(LC)濾波器級(jí)，對(duì)輸出進(jìn)行濾波，傳送到2Ω至30Ω的負(fù)載(R1)。表1詳述了測(cè)試設(shè)置功率器件。U1是用于HV+和HV?的直流電源，T1和T2是單個(gè)IGBT模塊。

完整電氣設(shè)置如圖3所示，表2詳細(xì)列出了測(cè)試中使用的設(shè)備。

圖2.系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置

表1.測(cè)試設(shè)置功率器件

表2.完整設(shè)置設(shè)備

圖3.柵極驅(qū)動(dòng)器配電板測(cè)試的連接圖

測(cè)試結(jié)果

無(wú)負(fù)載測(cè)試

在無(wú)負(fù)載測(cè)試設(shè)置中，在模塊輸出端汲取低輸出電流。在此應(yīng)用中，使用一個(gè)30Ω的電阻。

表3顯示無(wú)負(fù)載的電氣測(cè)試設(shè)置的重要元件，且負(fù)載內(nèi)的電流低。表4顯示在模塊上觀察到的溫度。表3和表4總結(jié)了所觀察到的結(jié)果。圖5至圖10顯示各種電壓和開關(guān)頻率上的開關(guān)波形的測(cè)試結(jié)果。

如表3中所示，測(cè)試1和測(cè)試2在600 V電壓下執(zhí)行。測(cè)試1在10kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，測(cè)試2在20kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行。測(cè)試3在900V電壓下執(zhí)行，開關(guān)頻率為10kHz。

圖4顯示無(wú)負(fù)載測(cè)試的電氣設(shè)置。

圖4.無(wú)負(fù)載測(cè)試的電氣設(shè)置

表3.無(wú)負(fù)載測(cè)試，對(duì)應(yīng)插圖

1.VDC是HV+和HV?電壓。

2.IIN表示通過(guò)U1的輸入電流。

表4.無(wú)負(fù)載測(cè)試，溫度總結(jié)

1.所有溫度都通過(guò)熱攝像頭記錄。

2.從變壓器測(cè)得。

開關(guān)IGBT的性能圖

此部分測(cè)試結(jié)果顯示不同目標(biāo)電壓下的開關(guān)波形，其中fSW=10kHz和20kHz。VDS是漏極-源極電壓，VGS是柵極-源極電壓。

圖5.VDC=600V，fSW=10kHz，無(wú)負(fù)載

圖8.VDC=600V，fSW=20kHz，無(wú)負(fù)載

圖6.VDC=600V，fSW=10kHz，無(wú)負(fù)載

圖9.VDC=900V，fSW=10kHz，無(wú)負(fù)載

圖7.VDC=600V，fSW=20kHz，無(wú)負(fù)載

圖10.VDC=900V，fSW=10kHz，無(wú)負(fù)載

負(fù)載測(cè)試

測(cè)試配置類似于圖2所示的測(cè)試設(shè)置。表5總結(jié)了觀察到的結(jié)果，圖11至圖16顯示各種電壓、頻率和負(fù)載下的測(cè)試性能和結(jié)果。

測(cè)試4在200V、10kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測(cè)試5在600V、10kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測(cè)試6在900V、10kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。

表5.負(fù)載測(cè)試

1.IOUT是負(fù)載電阻R1中的輸出電流。

2.VOUT是R1兩端的輸出電壓。

3.POUT是輸出功率(IOUT×VOUT)。

開關(guān)IGBT的性能圖和無(wú)負(fù)載測(cè)試

此部分測(cè)試結(jié)果顯示fSW=10kHz和20kHz的不同目標(biāo)電壓下的開關(guān)波形。

圖11.VDC=200V，fSW=10kHz，POUT=90.2W

圖14.VDC=600V，fSW=10kHz，POUT=791.1W

圖12.VDC=600V，fSW=10kHz，POUT=791.1W

圖15.VDC=900V，fSW =10kHz，POUT=1669.2W

圖13.VDC=200V，fSW=10kHz，POUT=90.2W

圖16.VDC=900V，fSW=10kHz，POUT=1669.2W

高電流測(cè)試

測(cè)試配置類似于圖3中所示的物理設(shè)置。表6總結(jié)了觀察到的結(jié)果，圖17至圖20顯示各種電壓、頻率和負(fù)載下的測(cè)試性能和結(jié)果。

輸出負(fù)載電阻視各個(gè)測(cè)試而異，如表1所示，其中2Ω到30Ω負(fù)載用于改變電流。測(cè)量VOUT，也就是R1兩端的電壓。

測(cè)試7在300V、10kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測(cè)試8在400V、10kHz開關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。

表6.高電流測(cè)試

1.PIN是輸入電源(IIN×VIN)，其中VIN是直流電源電壓。

開關(guān)IGBT的性能圖和負(fù)載測(cè)試

此部分測(cè)試結(jié)果顯示fSW=10kHz和20kHz的不同目標(biāo)電壓下的開關(guān)波形。

圖17.VDC=300V，fSW=10kHz，POUT=1346.3W

圖19.VDC=300V，fSW=10kHz，POUT=1346.3W

圖18.VDC=400V，fSW=10kHz，POUT=2365.9W

圖20.VDC=400V，fSW=10kHz，POUT=2365.9W

去飽和測(cè)試

系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置如圖21所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900μF的解耦電容添加到輸入級(jí)。此設(shè)置用于測(cè)試去飽和檢測(cè)。在此應(yīng)用中，最大IC=150A，其中IC是通過(guò)T1和T2的電流。

高端開關(guān)IGBT(T1)被83μH的電感旁路，T1開關(guān)必須關(guān)閉。

低端開關(guān)IGBT(T2)每500ms被驅(qū)動(dòng)50μs。

表7詳細(xì)列出了去飽和測(cè)試設(shè)置的功率器件。

圖22顯示電感L1中電流135A時(shí)的開關(guān)動(dòng)作，圖23顯示電感L1中電流139A時(shí)的去飽和檢測(cè)。

表7.功率器件去飽和測(cè)試的測(cè)試設(shè)置

圖21.系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置

圖22.VDC<68V，fSW=2Hz，占空比=0.01%

圖23.VDC>68V，fSW=2Hz，占空比=0.01%

應(yīng)用原理圖

圖24.ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器板原理圖

結(jié)論

ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器具有優(yōu)異的電流驅(qū)動(dòng)能力，合適的電源范圍，還有100kV/μs的強(qiáng)大CMTI能力，在驅(qū)動(dòng)IGBT時(shí)提供優(yōu)良的性能。

本應(yīng)用筆記中的測(cè)試結(jié)果提供的數(shù)據(jù)表明，ADuM4135評(píng)估板是驅(qū)動(dòng)IGBT的高壓應(yīng)用的解決方案。