臺積電推出性能增強的7nm和5nm制造工藝

據(jù)外媒報道，臺積電（TSMC）目前已悄然推出7nm深紫外DUV（N7）和5nm極紫外EUV（N5）制造工藝的性能增強版本。該公司的N7P和N5P技術專為需要7nm設計運行更快或消耗電量更少的客戶設計。

臺積電全新N7P工藝采用與N7相同的設計規(guī)則，優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL），可在相同功率下將性能提升7％，或者在相同的頻率下降低10％的功耗。

據(jù)悉，臺積電最早于今年在日本舉辦的VLSI研討會上透露相關信息，但并沒有廣泛宣傳。N7P采用經(jīng)過驗證的深紫外（DUV）光刻技術，與N7相比，沒有改變晶體管密度。

而需要晶體管密度高出約18%至20％的TSMC客戶，預計將使用N7+N6工藝技術。其中，N6工藝技術通過極紫外（EUV）光刻技術進行多層處理。

此外，臺積電下一個具有顯著密度、改進功耗和性能的主要節(jié)點是N5（5nm），提供了一個名為N5P的性能增強版本。該技術采用FEOL和MOL優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片的運行速度提高7％，或在相同頻率下將功耗降低15％。