貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器，高頻應(yīng)用的好選擇

2019年9月26日–專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開始備貨Texas Instruments(TI)LMG1210 200V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵(GaN)電源產(chǎn)品系列，與傳統(tǒng)硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統(tǒng)尺寸，并專門針對(duì)速度關(guān)鍵型功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

TI LMG1210是一款50MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實(shí)現(xiàn)超高性能與高效運(yùn)行，并具有10ns的超短傳播延遲，優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅(qū)動(dòng)器。此器件還具有1pF的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制，可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)的死區(qū)時(shí)間，進(jìn)而改善效率。

LMG1210擁有3.4ns高側(cè)/低側(cè)延遲匹配、4ns最小脈寬和內(nèi)部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。本驅(qū)動(dòng)器還具備超過300V/ns的業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTT)，可實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性。

TI LMG1210驅(qū)動(dòng)器適用于高速DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、D類音頻放大器、E類無線充電、RF包絡(luò)跟蹤以及其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。