已到10nm級別，長鑫存儲談未來DRAM技術(shù)之路

在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士進行了《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講。

平爾萱博士表示，隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)處理能力就需要相應(yīng)的加強，因此需要更強大的CPU，同時存儲器的數(shù)據(jù)容量、讀寫速度也需要加強。因此近年來對DRAM的要求也在持續(xù)提高。

今年5月15日，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明曾表示，從技術(shù)來源角度，合肥長鑫與奇夢達合作，并結(jié)合了長鑫自己的技術(shù)。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件（約2.8TB數(shù)據(jù)）收歸囊中。

在此次會議上，平爾萱博士對奇夢達DRAM也有提及。他表示，在DRAM技術(shù)的演進過程中，曾經(jīng)的DRAM巨頭奇夢達提出的埋入式電柵三極管概念給整個產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的貢獻。

DRAM技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從平面結(jié)構(gòu)向空間爭取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。

而奇夢達DRAM技術(shù)也是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越重要。此外，近代DRAM產(chǎn)品也都沿用了這個概念。

在談到DRAM技術(shù)未來發(fā)展時，平爾萱博士表示，DRAM是有極限的，通過改進可以將極限推遲，例如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能。此外，EUV主要是針對陣列，外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術(shù)發(fā)展的另一個機會。

平爾萱博士也強調(diào)，繼續(xù)推進DRAM技術(shù)的發(fā)展，還需要在新材料、新架構(gòu)上進行更多探索，也需要加強與其他企業(yè)的合作。回顧過去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。

此外，長鑫存儲借助先進的設(shè)備已經(jīng)把將奇夢達的46納米DRAM推進到了10納米級別。