芯片的未來(lái)：Smart宣布商業(yè)化制造新型集成硅III-V芯片的成功方法

　　麻省理工在新加坡的研究企業(yè)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種商業(yè)可行的方法來(lái)制造新的硅III-V芯片，為智能光電和5G器件鋪平道路。

? ? ?? 商業(yè)可行的制造工藝將使集成硅III-V芯片2020可用。 新加坡開(kāi)發(fā)的新方法不需要數(shù)百億美元的工業(yè)投資——利用舊的200毫米制造技術(shù)，在成熟和貶值的制造業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施中呼吸新的生命。 集成硅III-V芯片將使智能照明和顯示器，也克服了潛在的問(wèn)題與5G移動(dòng)技術(shù)。 李斯研究員審查200毫米硅III-V晶片。Les的創(chuàng)新和商業(yè)準(zhǔn)備過(guò)程利用現(xiàn)有的200毫米半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施來(lái)創(chuàng)建新一代的芯片，將傳統(tǒng)的硅與III-V器件相結(jié)合，這是以前沒(méi)有商業(yè)上可行的。?

? ? ? ? 新加坡麻省理工學(xué)院的研究和技術(shù)聯(lián)盟(SMART)，麻省理工學(xué)院在新加坡的研究企業(yè)，宣布成功開(kāi)發(fā)一種商業(yè)可行的方法制造集成硅III-V芯片與高性能的III-V設(shè)備插入到他們的設(shè)計(jì)中。 在當(dāng)今的大多數(shù)設(shè)備中，基于硅的CMOS芯片被用于計(jì)算，但是它們對(duì)于照明和通信效率不高，導(dǎo)致低效率和發(fā)熱。這就是為什么目前市場(chǎng)上的5G移動(dòng)設(shè)備在使用時(shí)變得非常熱，并且在短時(shí)間后會(huì)關(guān)閉。 這就是iii-v半導(dǎo)體的價(jià)值所在。III-V芯片由元素周期表第3列和第5列的元素制成，如氮化鎵(GaN)和砷化銦(InGaAs)。由于其獨(dú)特的性能，它們非常適合光電子學(xué)(LED)和通信(5G等)-大大提高效率。 “通過(guò)將III-V集成到硅中，我們可以基于現(xiàn)有的制造能力和低成本的硅生產(chǎn)技術(shù)，包括III-V技術(shù)獨(dú)特的光學(xué)和電子功能，”新加坡麻省理工學(xué)院的研究企業(yè)的首席執(zhí)行官兼導(dǎo)演Eugene Fitzgerald說(shuō)。新芯片將成為未來(lái)產(chǎn)品創(chuàng)新的核心，并為下一代通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備和顯示器提供動(dòng)力。” Smart Lees研究計(jì)劃的高級(jí)科學(xué)主管Kenneth Lee補(bǔ)充道：“然而，以商業(yè)化的方式將III-V半導(dǎo)體器件與硅集成是半導(dǎo)體工業(yè)所面臨的最困難的挑戰(zhàn)之一，盡管這樣的集成電路已經(jīng)被期望幾十年。目前的方法既昂貴又低效，這就延遲了工業(yè)所需芯片的可用性。利用我們的新工藝，我們可以利用現(xiàn)有的能力，有效地制造這些新的集成硅III-V芯片，并加速開(kāi)發(fā)和采用將為經(jīng)濟(jì)提供動(dòng)力的新技術(shù)。

? ? ? ? 由SMART開(kāi)發(fā)的新技術(shù)在單獨(dú)的襯底上構(gòu)建兩層硅和III-V器件，并在微米內(nèi)將它們垂直地集成在一起，這是人類(lèi)頭發(fā)直徑的1/第五十。這個(gè)過(guò)程可以使用現(xiàn)有的200mm制造工具，這將允許新加坡和世界各地的半導(dǎo)體制造商重新使用他們現(xiàn)有的設(shè)備。今天，投資于一種新的制造技術(shù)的成本在數(shù)百億美元的范圍內(nèi)，因此這種新的集成電路平臺(tái)是非常有成本效益的，并且將導(dǎo)致更低成本的新型電路和電子系統(tǒng)。 Smart公司致力于為像素化照明/顯示器和5G市場(chǎng)創(chuàng)造新的芯片，其潛在市場(chǎng)超過(guò)100B美元。智能集成的新硅III-V芯片將中斷的其他市場(chǎng)包括可穿戴微型顯示器、虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和其他成像技術(shù)。 該專(zhuān)利組合已由新的硅公司PTE.有限公司(NSC)獨(dú)家授權(quán)，這是一家總部位于新加坡的Smart公司。NSC是第一個(gè)無(wú)晶形硅集成電路公司，具有專(zhuān)有材料、工藝、器件和單片集成硅III-V電路(www. NeX-siel.com)的設(shè)計(jì)。 Smart的新集成硅II-V芯片將于明年上市，預(yù)計(jì)在2021的產(chǎn)品。 此鏈接提供高分辨率圖像。

　　關(guān)于低能量電子系統(tǒng)(LIES)跨學(xué)科研究小組(IGG)?

? ? ?? smart的低能電子系統(tǒng)(lees)irg正在創(chuàng)造新的集成電路技術(shù)，從而提高電子系統(tǒng)的功能性、低功耗和高性能。這些未來(lái)的集成電路將影響無(wú)線(xiàn)通信、電力電子、led照明和顯示器的應(yīng)用。LEES擁有一個(gè)垂直集成的研究團(tuán)隊(duì)，擁有材料、器件和電路方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，包括在半導(dǎo)體行業(yè)具有專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)的多個(gè)人。這確保了研究的目標(biāo)是滿(mǎn)足新加坡和全球半導(dǎo)體行業(yè)的需求。

? ? ? ?? 關(guān)于新加坡麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟(SMART)?

? ? ? ?? 新加坡麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟(SMART)是麻省理工學(xué)院在新加坡的研究企業(yè)，由麻省理工學(xué)院(MIT)與新加坡國(guó)家研究基金會(huì)(NRF)于2007年合作成立。SMART是NRF開(kāi)發(fā)的校園內(nèi)第一家卓越研究和技術(shù)企業(yè)(CREATE)實(shí)體。smart是麻省理工學(xué)院和新加坡之間研究互動(dòng)的智力和創(chuàng)新中心。新加坡和麻省理工學(xué)院感興趣的前沿研究項(xiàng)目均在新加坡理工學(xué)院進(jìn)行。SMART目前由一個(gè)創(chuàng)新中心和六個(gè)跨學(xué)科研究小組(IRG)組成：抗微生物(AMR)、生物系統(tǒng)和微機(jī)械(Biosym)、制造個(gè)性化藥物的關(guān)鍵分析(CAMP)、農(nóng)業(yè)精密的破壞性和可持續(xù)技術(shù)(DISTAP)。未來(lái)城市交通(FM)和低能電子系統(tǒng)(LEES)。 SMART研究由新加坡國(guó)家研究基金會(huì)根據(jù)CREATE計(jì)劃資助。