美光3D NAND采用替代柵極架構(gòu)：明年將量產(chǎn)

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲(chǔ)巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)。

根據(jù)知情人士透露，美光新型替代柵極架構(gòu)將首次應(yīng)用在128層閃存之中，繼續(xù)沿用CMOS陣列，新一代的替代柵極結(jié)構(gòu)有望讓Die size和成本進(jìn)一步減小。

美光集團(tuán)CEO對(duì)此表示，目前已經(jīng)成功完成替代柵極架構(gòu)的3D NAND芯片的首次流片，這一里程碑的進(jìn)展降低了產(chǎn)品技術(shù)向下一代技術(shù)過渡的風(fēng)險(xiǎn)，并且強(qiáng)調(diào)首代替代柵極架構(gòu)將被應(yīng)用在128層NAND產(chǎn)品上，先期會(huì)被應(yīng)用到特定的產(chǎn)品線。