CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,以共同推動寬禁帶功率半導體技術的研發(fā)及廣泛應用
比利時蒙-圣吉貝爾和中國湖南株洲–2019年11月15日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。
近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應用中為充分發(fā)揮寬禁帶功率模塊的優(yōu)勢,需要驅(qū)動器在耐高溫、可靠性和保護機制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來自比利時的高溫半導體解決方案領先廠商,擁有在航空航天、石油、汽車等多個要求嚴苛的領域驗證過的、應用超過10年的驅(qū)動器產(chǎn)品,這些驅(qū)動器產(chǎn)品具有耐高溫、高可靠性、高魯棒性等特性,可以助力寬禁帶半導體功率模塊在各類系統(tǒng)應用中充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。
國芯科技是由中車時代電氣聯(lián)合長安汽車、南方電網(wǎng)、格力電器、中環(huán)股份等8家企業(yè)共同出資成立的集研發(fā)、檢測、技術服務于一體的高新企業(yè),主要開展先進IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率RF,以及SiC、GaN等寬禁帶功率半導體材料、器件及技術的研究開發(fā)。國芯科技攜手中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立了功率半導體創(chuàng)新中心,旨在開展功率半導體產(chǎn)業(yè)共性技術研發(fā)、相關產(chǎn)品開發(fā)、科技成果轉(zhuǎn)移擴散、技術孵化和商業(yè)化應用等工作,并提供設計、檢測等技術服務,進行人才培養(yǎng)和國際交流合作。目前,該創(chuàng)新中心已正式獲批成為湖南省制造業(yè)創(chuàng)新中心,正致力于建設升級為國家級制造業(yè)創(chuàng)新中心,打造成中國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)聚集圈。
“作為先進功率半導體技術的代表,寬禁帶半導體器件具有非凡的性能優(yōu)勢,已在諸多領域得到應用。特別是目前新能源汽車在全球各地的快速發(fā)展,進一步推動寬禁帶功率器件的市場規(guī)模不斷擴大。國芯科技作為一家密切關注寬禁帶半導體發(fā)展的公司,在寬禁帶半導體材料、技術及器件的研發(fā)方面投入了大量精力,并專門成立了功率半導體創(chuàng)新中心?!眹究萍伎偨?jīng)理戴小平先生表示?!昂芨吲d可以與CISSOID公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,CISSOID公司多年來在高溫驅(qū)動器和高溫封裝方面的技術可以助力寬禁帶功率模塊在系統(tǒng)級上實現(xiàn)耐高溫、高能量密度,同時可極大地提高電控系統(tǒng)的可靠性。我們將與CISSOID公司合作研發(fā)寬禁帶功率技術、模塊及系統(tǒng)應用,進而推動寬禁帶半導體技術在中國加速發(fā)展?!?/span>
“中車時代電氣、長安汽車、南方電網(wǎng)、格力電器、中環(huán)股份都是中國頂尖的企業(yè),他們共同出資成立國芯科技的目標之一就是推動寬禁帶半導體技術向前發(fā)展。CISSOID十分期待此次與國芯科技的合作可以將寬禁帶功率模塊的效率及性能推向新高。我們將利用自己久經(jīng)驗證、享譽業(yè)界的高溫驅(qū)動芯片和高溫封裝設計團隊為本次研發(fā)合作提供大力支持。”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?!癈ISSOID長期以來對中國市場保持高度關注,且十分注重與中國半導體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展。目前,我們已經(jīng)融入來自中國的投資,并在芯片制造、封裝測試等方面,開始與中國公司進行廣泛的合作。此次CISSOID與中國頂級企業(yè)共同研究開發(fā)寬禁帶半導體功率器件,則進一步體現(xiàn)了我們希望廣泛融入中國半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的戰(zhàn)略及加快推動中國寬禁帶半導體技術發(fā)展的決心?!?/span>
隨著新能源汽車等新興領域的蓬勃發(fā)展,寬禁帶半導體功率器件得到了越來越多的重視并逐漸普及。同時,根據(jù)市場研究公司 Yole Development 的報告,功率半導體的平均結溫一直在不斷上升,并將在近幾年內(nèi)很快達到并超過175℃。因此,通過耐高溫驅(qū)動器為寬禁帶功率器件提供良好配合顯得非常重要。此次CISSOID公司和國芯科技開展合作,將充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢并形成強大合力,利用業(yè)界領先的耐高溫驅(qū)動器件為寬禁帶功率器件提供支持,將高質(zhì)量的寬禁帶功率模塊和解決方案推向市場,進而助力新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、智能家電等領域?qū)崿F(xiàn)更快發(fā)展。