長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)19nm計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器

據(jù)AnandTech報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級(jí)制程的路線圖，計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)各種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）。除此之外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)以打造設(shè)計(jì)和制造一體化的內(nèi)存芯片國(guó)產(chǎn)化制造基地為目標(biāo)，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺(tái)合肥產(chǎn)投與細(xì)分存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目。目前，項(xiàng)目已通過(guò)層層評(píng)審，并獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。

目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長(zhǎng)，產(chǎn)量也將逐漸提升。預(yù)計(jì)到 2020年底，其10nm級(jí)工藝技術(shù)的產(chǎn)能為12萬(wàn)片晶圓（12英寸）。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)表示，其77%員工都是從事研發(fā)相關(guān)工作的工程師。今年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明曾表示，從技術(shù)來(lái)源角度，合肥長(zhǎng)鑫與奇夢(mèng)達(dá)合作，并結(jié)合了長(zhǎng)鑫自己的技術(shù)。通過(guò)與奇夢(mèng)達(dá)合作，將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件（約2.8TB數(shù)據(jù)）收歸囊中?，F(xiàn)如今已經(jīng)完成了早期積累。

據(jù)了解，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在使用其 10G1 技術(shù)（19 nm 工藝）來(lái)制造4 Gb和8 Gb DDR4存儲(chǔ)器芯片，目標(biāo)在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場(chǎng)，該技術(shù)將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲(chǔ)器。

從路線圖來(lái)看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還規(guī)劃了針對(duì)DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3（17 nm工藝）產(chǎn)品。預(yù)計(jì)CXMT 10G5工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù)，并在遠(yuǎn)期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

此前該公司計(jì)劃于2019年初開(kāi)始生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，但新路線圖已經(jīng)推遲了一年。最后，該公司還計(jì)劃再建兩座DRAM晶圓廠。